三星電子 HBM 良率大突破 HBM3E 核心 DRAM 良率衝上 92％
1c DRAM 良率突破 75％ HBM4 量產進度加速
南韓記憶體大廠三星電子（Samsung Electronics）傳出高頻寬記憶體（HBM）良率取得重大進展。根據韓媒引述內部消息人士指出，三星電子 DS（Device Solutions）部門近期已將應用於 HBM3E 核心晶片的 10 奈米級第五代（1b）DRAM 良率提升至 92%，而用於下一代 HBM4 的第六代（1c）DRAM 良率也已突破 75%。
市場認為，這代表三星在 AI 記憶體競賽中的量產能力正快速改善，有助縮小與 SK 海力士及美光（Micron Technology）之間的差距。
1b DRAM 良率達成熟水準 成本競爭力大增
消息人士透露，三星應用於 HBM3E 的 1b DRAM 良率，是以冷態測試（Cold Test）為基準計算，目前缺陷率已接近零，被內部視為「成熟良率」。
業界指出，92% 的良率代表三星已具備極高的量產穩定性，不僅能大幅降低單位生產成本，也有助於快速、大規模供貨給全球 AI 晶片與雲端客戶。
在 AI 伺服器需求持續爆發下，高良率將直接影響 HBM 供應能力與獲利表現，對三星爭奪 AI 記憶體市占具有重要意義。
三星派出 500 人技術團隊 短時間拉升 1c 良率
報導指出，三星原先在 1c DRAM 製程上遭遇瓶頸，良率長時間停留在約 60％水準，難以提升。
不過，三星近期透過在實際量產產線部署約 400 至 500 人的專責技術團隊，並同步調整產能與製程參數，在短時間內成功將 1c DRAM 良率提升至 75％以上。
市場人士認為，1c DRAM 是未來 HBM4 的核心基礎，其良率改善象徵三星下一代 AI 記憶體產品的量產進度正在加速。
目前三星內部的首要目標，是盡快將 1c DRAM 良率進一步拉升至與 1b DRAM 相同的 92％水準。
工會總罷工成變數 恐衝擊製程穩定性
不過，三星近期面臨的勞資衝突，也為 HBM 量產進度投下變數。
南韓三星電子工會原定於 21 日發動大規模總罷工，雖然法院已判決「罷工不得影響半導體產線，也不得造成原料變質或設備停擺」，但業界仍擔憂，若生產與技術人員在良率剛提升後離開產線，可能導致製程穩定性下降，甚至讓來之不易的良率成果出現倒退。
半導體業界指出，HBM 與先進 DRAM 製程對產線穩定度極為敏感，一旦生產中斷或參數失控，後續可能需要投入大量時間與成本，才能重新恢復至既定良率水準。
因此，在 AI 記憶體競爭白熱化之際，三星能否在維持高良率的同時化解工會爭議，將成為後續市場觀察重點。
