HBM5E 關鍵技術受阻 三星延後 D1d DRAM 量產
發佈時間：2026/04/22
根據韓媒報導，三星電子（Samsung Electronics）因為新一代記憶體製程良率未達預期，已決定延後 10 奈米級第七代 DRAM（1d DRAM，簡稱 D1d）的量產時程，並暫緩原訂於今年第一季展開的試產計畫。
良率不佳＋ROI 壓力 三星暫停量產推進
消息指出，三星原計畫在完成預生產批准（PRA）後啟動 D1d 試產，但管理層近期重新評估後認為，目前良率表現難以支撐量產，若貿然推進恐影響投資報酬率（ROI）。
由於先進 DRAM 製程的複雜度大幅提升，技術門檻呈現「指數級上升」，使得產品穩定性與良率控制難度顯著增加。三星因此選擇暫緩量產進度，以避免資本投入無法有效回收。
HBM5E 關鍵節點 D1d 供應成未來核心
D1d DRAM 被視為支撐下一代高頻寬記憶體的重要基礎，特別是 HBM5E 產品。
目前既有的 1c DRAM 仍可支援 HBM4 至 HBM5 世代，但自 HBM5E 開始，對更高密度與穩定性的需求大幅提升，使 D1d 成為不可或缺的關鍵技術節點。一旦量產延後，恐影響未來 AI 伺服器與高效能運算市場的供應節奏。
量產時程恐無限期遞延 全面重整製程路線
市場消息進一步指出，三星已考慮將 D1d 量產「無限期延後」，直到良率達到內部標準為止。公司目前正全面檢視製程技術路線，並集中資源優化良率表現。
對產業的衝擊：AI 記憶體競賽再添變數
在 AI 需求爆發背景下，高階記憶體供應成為兵家必爭之地。三星此次延後量產，意味著先進 DRAM 技術突破仍面臨挑戰，也可能為其他競爭對手帶來追趕機會。
整體而言，D1d 進度不如預期，不僅影響三星在 HBM 市場的布局節奏，也為全球 AI 記憶體供應鏈增添新的不確定性。
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編輯整理：Celine
