英飛凌推 AI 加速器智慧電源模組 300A 大電流、支援垂直供電
Celine
6×6 毫米封裝整合雙相電源 每平方毫米供電密度逾 2A
隨著 AI 加速器功耗持續攀升，資料中心對高電流、低損耗且小型化電源元件的需求日益增加。英飛凌科技（Infineon Technologies）宣布推出 AI 加速器專用雙相智慧電源級（Smart Power Stage）TDA235E5 與 TDA235E0，鎖定 AI 伺服器高密度供電應用，因應處理器在有限空間內需要更大電流的需求。
電源級主要負責將伺服器電源轉換成 AI 加速器所需的低電壓。由於 AI 加速器通常在約 1V 的低電壓下運作，卻需要數百安培的大電流，因此除了供電能力外，電源電路的體積與功率密度也成為設計重點。
英飛凌表示，TDA235E5 與 TDA235E0 採用旗下 OptiMOS 6 MOSFET 搭配驅動電路，並整合於僅 6×6×0.8 毫米的封裝中；單一封裝內配置兩組電力轉換電路，採雙相（Dual Phase）架構，可在縮小電路占用面積的同時提升供電能力。
新產品的電流密度超過每平方毫米 2A，最大峰值電流達 300A，總設計電流（TDC）則為 120A，除了可應用於 AI 加速器，也可用於資料中心伺服器 CPU 等高效能運算平台。
支援垂直供電 縮短電源與處理器距離降低損耗
面對 AI 處理器功耗不斷提高，電源供應架構也逐步從傳統處理器周邊的水平供電，轉向處理器下方直接供電的垂直電力傳輸（VPD）架構。
英飛凌表示，TDA235E5 與 TDA235E0 除了支援傳統水平供電方式，也支援 VPD 設計，讓電源模組能更靠近處理器，縮短電源與晶片之間的供電距離，進而降低傳輸過程中的功率損耗，因應新一代高功耗 AI 處理器的電源架構需求。
此外，新產品針對散熱進行優化，使晶片產生的熱量能更有效率地由封裝上方排出，因此也較容易與液冷系統整合，符合 AI 伺服器持續提高功率密度後對高效散熱的需求。
AI 電源市場競爭升溫 多家業者布局高電流方案
英飛凌電源 IC 事業部副總裁拉凱什・倫加納坦（Rakesh Renganathan）表示，TDA235E5 與 TDA235E0 結合高電源密度、散熱性能與設計彈性，可協助客戶加快產品開發。
目前 TDA235E5 與 TDA235E0 的工程樣品已開始提供客戶進行評估。
隨著 AI 加速器與資料中心伺服器功耗持續攀升，AI 電源元件市場競爭也日益激烈，除了英飛凌外，瑞薩電子、德州儀器（TI）、亞德諾（ADI）及茂睿芯（MPS）等業者均積極布局。其中，MPS 則進一步將電感整合至電源模組中，朝更高整合度的 AI 伺服器供電方案發展。
