台積電宣告最先進的 A14 製程拚 2028 年量產

為什麼重要
台積電(2330)的技術持續精進,將直接提升半導體產業的整體效能與效率、改變全球半導體市場的競爭格局,而且直接影響依賴高效能晶片的 AI 產品開發進度。
SK 海力士與輝達(Nvidia)合作開發下一代 HBM4 和對高階 DRAM 工廠的擴建,強化了 SK 海力士在全球半導體市場的領先地位。
背景故事
台積電(TSMC)在「2025 北美技術研討會」上公開其技術路線圖,展示了對未來幾年半導體製程技術的規劃,深受矚目。
SK 海力士作為輝達 HBM(高頻寬記憶體)處理器的主要供應商,面臨美國對半導體進口的調查,以及對中國晶片出口控制增加,可能影響其業務。
發生了什麼
台積電在 2025 年北美技術論壇中揭曉下一世代 A14 製程技術,並標榜相較於今年稍晚將進入量產的 N2 製程,在相同功耗下可提升 15%執行效能,或在相同效能下減少 30%功耗,並可讓電路邏輯密度提高 20%。
台積電同時宣布推出以 CoWoS 技術為基礎的 SoW-X 晶圓解決方案,相比 2024 年提出的 TSMC-SoW,將使晶圓尺寸系統發揮高於 40 倍的算力,預計 2027 年進入量產。
SK 海力士預計,12 層 HBM3E 晶片的銷售將在第二季佔 HBM3E 總收入的一半以上;該晶片是目前市場上最先進的 HBM,與 Nvidia 的圖形處理單元一起工作。
接下來如何
台積電 A14 製程技術計畫於 2028 年開始生產,鎖定高效能運算、智慧型手機、汽車及物聯網等應用。
台積電這次還宣布了其他應用解決方案,包括導入緊湊型通用光子引擎(COUPE)技術的矽光子整合、用於 HBM4 高頻寬記憶體的 N12 與 N3 製程基礎裸晶,以及相比電路板上的獨立電源管理晶片,能提供 5 倍垂直功率密度傳輸,主要用於人工智慧運算驅動的新型整合型電壓調節器(Integrated Voltage Regulator,IVR)。
儘管對 2025 年下半年的需求存在增加的波動性預期,SK 海力士仍預計輝達(NVDA)AI 加速器所需的高頻寬記憶體需求將翻倍。
SK 海力士的美國客戶佔其總收入的 60%,但大部分產品運往非美國國家,因此來自美國關稅的衝擊不高。
他們說什麼
美國媒體《AppleInsider》報導指出,A14 製程最有可能被應用於蘋果 2028 年的旗艦手機 iPhone 19 上。
SK 海力士 DRAM 市場部門負責人 Kim Kyu-hyun 表示,考慮到目前對關稅發展的有限可見度,不太可能出現足以引發庫存擔憂的提前需求增加。
提到的股票
概念股
參考資料
- Micron Stock Is Rising. How Earnings From a Rival Are Helping.
- Micron Stock Has Given Up Its AI Rally Gains. SK Hynix Could Help Change That.
- Nvidia supplier SK Hynix logs bumper Q1, sees limited tariff impact on AI chips
- Nvidia supplier SK Hynix warns of turbulence from US tariffs