台積電宣告最先進的 A14 製程拚 2028 年量產
為什麼重要
台積電（2330）的技術持續精進，將直接提升半導體產業的整體效能與效率、改變全球半導體市場的競爭格局，而且直接影響依賴高效能晶片的 AI 產品開發進度。
SK 海力士與輝達（Nvidia）合作開發下一代 HBM4 和對高階 DRAM 工廠的擴建，強化了 SK 海力士在全球半導體市場的領先地位。
背景故事
台積電（TSMC）在「2025 北美技術研討會」上公開其技術路線圖，展示了對未來幾年半導體製程技術的規劃，深受矚目。
SK 海力士作為輝達 HBM（高頻寬記憶體）處理器的主要供應商，面臨美國對半導體進口的調查，以及對中國晶片出口控制增加，可能影響其業務。
發生了什麼
台積電在 2025 年北美技術論壇中揭曉下一世代 A14 製程技術，並標榜相較於今年稍晚將進入量產的 N2 製程，在相同功耗下可提升 15％執行效能，或在相同效能下減少 30％功耗，並可讓電路邏輯密度提高 20％。
台積電同時宣布推出以 CoWoS 技術為基礎的 SoW-X 晶圓解決方案，相比 2024 年提出的 TSMC-SoW，將使晶圓尺寸系統發揮高於 40 倍的算力，預計 2027 年進入量產。
SK 海力士預計，12 層 HBM3E 晶片的銷售將在第二季佔 HBM3E 總收入的一半以上；該晶片是目前市場上最先進的 HBM，與 Nvidia 的圖形處理單元一起工作。
接下來如何
台積電 A14 製程技術計畫於 2028 年開始生產，鎖定高效能運算、智慧型手機、汽車及物聯網等應用。
台積電這次還宣布了其他應用解決方案，包括導入緊湊型通用光子引擎（COUPE）技術的矽光子整合、用於 HBM4 高頻寬記憶體的 N12 與 N3 製程基礎裸晶，以及相比電路板上的獨立電源管理晶片，能提供 5 倍垂直功率密度傳輸，主要用於人工智慧運算驅動的新型整合型電壓調節器（Integrated Voltage Regulator,IVR）。
儘管對 2025 年下半年的需求存在增加的波動性預期，SK 海力士仍預計輝達（NVDA）AI 加速器所需的高頻寬記憶體需求將翻倍。
SK 海力士的美國客戶佔其總收入的 60％，但大部分產品運往非美國國家，因此來自美國關稅的衝擊不高。
他們說什麼
美國媒體《AppleInsider》報導指出，A14 製程最有可能被應用於蘋果 2028 年的旗艦手機 iPhone 19 上。
SK 海力士 DRAM 市場部門負責人 Kim Kyu-hyun 表示，考慮到目前對關稅發展的有限可見度，不太可能出現足以引發庫存擔憂的提前需求增加。
提到的股票
概念股
參考資料
- Micron Stock Is Rising. How Earnings From a Rival Are Helping.
- Micron Stock Has Given Up Its AI Rally Gains. SK Hynix Could Help Change That.
- Nvidia supplier SK Hynix logs bumper Q1, sees limited tariff impact on AI chips
- Nvidia supplier SK Hynix warns of turbulence from US tariffs
