SK 海力士採台積電 3 奈米技術,HBM4 明年供應輝達
發佈時間:2024/12/03
為什麼重要
SK 海力士採用台積電的 3 奈米技術生產 HBM4,將顯著提升記憶體效能,對半導體及高效能運算市場產生深遠影響。
此舉將加強 SK 海力士在全球 HBM 市場的領先地位,並對競爭對手如三星電子構成壓力。
背景故事
#3 奈米製程、#HBM 市場份額、#臺積電合作
SK 海力士原計劃使用 5 奈米製程生產第六代高頻寬記憶體 HBM4,但因應主要客戶輝達的要求,改用更先進的 3 奈米製程。
SK 海力士的 HBM4 晶片原型於 3 月發布,展示了在 3 奈米基礎裸晶上的垂直堆疊技術,預期效能較 5 奈米裸晶提高 20% 至 30%。
發生了什麼
#技術轉變、#12 奈米製程、#蘋果採用
南韓媒體報導,SK 海力士的第六代 HBM4 將採用 3 奈米製程,並使用台積電技術,預計於明年下半年供貨。
SK 海力士的一般型 HBM4 和 HBM4E 也將與台積電合作,採用 12 奈米製程。
第六代 HBM「HBM4」的技術轉變,包括從自家基礎裸晶轉向採用台積電的 3 奈米記憶體晶片技術,該技術已被蘋果 iPhone 和 MacBooks 採用。
接下來如何
#供貨計劃、#市場競爭力、#技術開發
SK 海力士預計於 2025 年下半年開始向輝達供貨 3 奈米製程的 HBM4,這將滿足輝達對更高效能記憶體的需求。
採用 3 奈米製程的 HBM4 預計將進一步提升 SK 海力士在全球 HBM 市場的競爭力,尤其是與三星電子的競爭中。
SK 海力士對於提前供貨的要求,顯示了市場對於高效能記憶體的迫切需求,可能會加速相關技術的開發與應用推廣。
他們說什麼
SK 集團會長崔泰源表示,輝達執行長黃仁勳要求提前六個月供應 12 層 HBM4,顯示出輝達對於高效能記憶體技術的高度期待。
韓國經濟日報引述業內訊息,SK 海力士的技術轉變反映了市場對更先進記憶體技術的需求,以及台積電在先進製程技術上的領先地位。
提到的股票
概念股
編輯整理:Ryan Chen