SK 海力士採 3nm 工藝，2025 年供應輝達 HBM4

為什麼重要

SK 海力士轉向採用更先進的 3nm 工藝生產 HBM4，將直接提升輝達等主要客戶的產品效能，並可能改變高效能運算和人工智慧領域的競爭格局。

背景故事

#3nm 工藝、#臺積電合作、#特斯拉競爭

• SK 海力士原計劃採用 5nm 工藝生產定製版 HBM4，應輝達要求，計畫改為採用更先進的 3nm 工藝。

• SK 海力士與臺積電合作，將採用 12nm 工藝技術生產通用版的 HBM4 和 HBM4E，同時與三星電子競爭成為特斯拉的 HBM4 供應商。

發生了什麼

#效能提升、#提前供應、#1b DRAM

• SK 海力士計劃於 2025 年下半年向輝達出貨採用 3nm 工藝生產的定製版 HBM4，效能預計比採用 5nm 工藝的 HBM4 提高 20-30%。

• SK 海力士將 HBM4 晶片的供應提前六個月，執行長表示，原計劃在 2025 年下半年量產 12 層 HBM4，核心晶片採用 1b DRAM。

接下來如何

#儲存器效能、#產品競爭力、#供應鏈佈局

• SK 海力士將於明年 3 月推出採用 3nm 工藝的 HBM4 原型，預計將提升儲存器效能，為輝達等主要客戶提供更先進的解決方案。

• SK 海力士與臺積電的合作將促進通用版 HBM4 和 HBM4E 的生產，提高產品競爭力。

• 特斯拉將在測試三星電子和 SK 海力士開發的通用版 HBM4 晶片原型後，選擇其中一家作為其供應商，影響未來的供應鏈佈局。

他們說什麼

• SK 集團董事長崔泰源表示，應輝達 CEO 要求，SK 海力士將 HBM4 晶片的供應提前六個月。

• SK 海力士執行長透露，原計劃在 2025 年下半年量產 12 層 HBM4，核心晶片採用 1b DRAM，展現了公司對技術進步和客戶需求的快速響應。

概念股

• DRAM

• 汽車

• 特斯拉

• HBM

參考資料

• 消息称SK海力士采用3nm打造定制版HBM4，最早明年3月推出原型