SK 海力士 2025 年將持續穩坐輝達 HBM 最大供應商寶座
市調機構 TrendForce 最新報告指出，SK 海力士有望在 2025 年繼續保持輝達（NVIDIA）高頻寬記憶體（HBM）的最大供應商地位；三星電子、美光（Micron）則須視品質認證與效能表現，才能確定是否獲得穩定供貨的市佔率。
TrendForce 指出，綜合合作關係、技術成熟度、可靠性與產能等因素，SK 海力士在 2025 年仍將是輝達最主要的 HBM 供應商。由於輝達高度重視供應穩定性，與 SK 海力士既有的合作基礎，使後者明顯佔據優勢。
輝達要求 HBM4 超規格效能 SK 海力士地位穩固
該機構同時提醒，若出現供給不足，或新規格在耗電與成本上過於高昂，輝達可能會調整產品策略，例如停止部分性能升級，或依不同供應商的產品水準劃分等級，以區隔市場。
為了因應競爭對手超微（AMD）即將推出的 AI 晶片「MI450」，輝達要求供應商提升 HBM4 效能，目標是將自家 AI 晶片「Vera Rubin」所採用的 HBM4 單腳位速率提升至 10Gbps，高於國際半導體標準協會（JEDEC）制定的 8Gbps 標準。
要達到更高速率，必須進一步降低訊號干擾、延遲與雜訊，其中，先進的封裝互連（packaging interconnection）技術至關重要。
SK 海力士在 HBM4 導入自家研發的「先進大規模回流成型底填」（MR-MUF）製程，該技術自第三代 HBM（HBM2E）便已投入應用。其方式是將液態保護材料注入晶片之間並固化，具備優異的散熱特性；三星、美光則採用「非導電膠膜」（NCF），在每層晶片堆疊時鋪設薄膜材料，擁有更強的電氣絕緣效果。
三星以先進製程突圍 認證結果將決定市佔
作為 HBM 領域的後進者，三星力求透過製程升級追趕。HBM4 將採用 10 奈米級第六代（1c）DRAM，較 SK 海力士的第五代（1b）更為微縮；理論上，製程越先進，記憶體效能越強。
此外，三星在 HBM4 的基底晶片（base die）生產中，使用自家 4 奈米製程；SK 海力士則委託台積電（2330）採用 12 奈米製程。基底晶片被視為「邏輯晶片」，負責控制堆疊 DRAM 並與 GPU 進行數據交換。
TrendForce 認為，三星、美光能否爭取到更多市佔，將取決於目前輝達正在進行的品質驗證與效能測試。兩家公司已在今年上半年向輝達及其他客戶出貨 HBM4 樣品，正等待最終認證結果。
