SK 海力士、三星和美光將 HBM 記憶體視為重點生產產品
發佈時間:2024/07/11
為什麼重要
輝達採用的 HBM3E 記憶體技術將直接影響 DRAM 市場,導致通用 DRAM 可能出現缺貨及價格上漲,影響包括三星、SK 海力士和美光在內的記憶體製造商。
HBM 記憶體需求增加,將促使相關公司加大生產力,影響其營運成本及市場供應策略。
背景故事
#HBM 技術發展、#記憶體製造商投資、#晶片性能提升
HBM 技術自 2014 年起逐步發展,從 HBM1 到 HBM3E,頻寬和記憶體容量不斷提升,滿足高性能計算需求。
輝達與台積電合作,利用先進的 CoWoS 封裝技術,提升晶片性能,強化市場競爭力。
發生了什麼
#AI 加速器、#供應能力耗盡、#美光生產擴展
輝達推出首個採用 HBM3E 記憶體規格的 AI 加速器 H200 晶片,標誌著其技術領先地位。
SK 海力士、三星和美光將 HBM 記憶體視為重點生產產品,並已於 2024 年耗盡當年度的供應能力。
美光在美國建設先進的 HBM 測試生產線,並考慮在馬來西亞生產,以應對市場需求。
接下來如何
#大規模量產、#產能擴增、#供需轉變
預計 HBM3E 於 2024 年開始大規模量產,將進一步推動記憶體技術的進步和應用擴展。
SK 海力士計劃將 1b DRAM 的月產能從 2024 年初的 1 萬片增加到年底的 9 萬片,以滿足持續增長的 HBM 和 DDR5 DRAM 需求。
海豚投研數據預測,HBM 的供需情況預計於 2024 年底由「供不應求」轉為「供大於求」。
他們說什麼
SK 海力士 CEO 表示,公司正在擴大產能以滿足市場對高性能記憶體的需求,並確保輝達等重要客戶的供應穩定。
美光 CFO 說明,公司投資於美國的先進 HBM 測試生產線,旨在提升產品質量和市場反應速度,以強化其在高端市場的競爭力。
提到的股票
概念股
編輯整理:Ryan Chen