SK 海力士搶先送樣 HBM4E 12 層 三星同步出手競逐下一代 HBM 主導權
全球 AI 運算需求持續爆發，高頻寬記憶體（HBM）進入新一輪的技術競賽。韓國記憶體雙雄 SK 海力士（000660.KS）與三星電子（005930.KS）正式進入 HBM4E 世代競逐，雙方幾乎同時完成 12 層堆疊產品送樣，市場預期下一代 AI 記憶體主導權之爭將全面升溫。
SK 海力士提前送樣 HBM4E AI 記憶體世代再領先一步
SK 海力士宣布，已提前向主要客戶提供第七代高頻寬記憶體（HBM4E）12 層樣品，進度較原先規劃明顯提前。公司原本預計於今年下半年才開始送樣。
SK 海力士表示，憑藉 HBM3、HBM3E 與 HBM4 的量產經驗，得以加速推進 HBM4E 開發進度，並強調將與核心客戶緊密合作，以確保產品按時進入量產階段，支撐 AI 運算需求。
效能全面升級 HBM4E 頻寬與能效大幅提升
HBM4E 相較前一代 HBM4，在效能與功耗表現均有顯著改善，主要的技術升級，包括採用 10 奈米級第六代（1c）DRAM、單顆堆疊容量提升至 32Gb（4GB）、12 層堆疊總容量達 48GB（HBM4 為 36GB）、I/O 頻寬提升至 16Gbps（較前代提升最高 45%）、單一堆疊頻寬約 4TB/s（提升約 40%～50%），以及能效提升超過 20%
此外，HBM4E 採用強化版 MR-MUF 封裝製程，有助於提升散熱效率與堆疊穩定性，使熱阻較前一代降低約 17%，強化 AI 資料中心長時間運作可靠性。
先進製程導入 3 奈米基板設計傳提升效能
市場推測，SK 海力士 HBM4E 的基礎裸晶（Base Die）可能導入台積電（2330）3 奈米製程，相較前一代 12 奈米製程大幅升級，有助提升運算效率與功耗表現。
Base Die 作為 HBM 控制核心，負責資料讀寫與錯誤修正，其製程升級被視為影響整體 HBM 性能的關鍵因素。
三星電子同步送樣 HBM 競爭進入白熱化
三星電子也已經於上月完成 HBM4E 12 層樣品出貨，與 SK 海力士採用相同的 32Gb 1c DRAM 架構。
不同的是，三星電子採用自家 4 奈米級邏輯製程作為 Base Die 基礎，並強調已完成製程良率與量產準備，將依客戶時程推進供貨計畫。
分析人士指出，三星與 SK 海力士在 HBM4E 的競爭已從技術規格延伸至製程整合與量產能力，雙方將直接角逐下一代 AI 伺服器與 GPU 供應鏈訂單。
AI 伺服器需求推升 HBM 超級循環週期 記憶體產業進入新戰國時代
隨著輝達（NVIDIA）與雲端業者持續擴張 AI 資料中心建置，高頻寬記憶體已成為 AI 晶片效能關鍵瓶頸。
市場普遍認為，HBM 需求將持續高速成長至 2026 年後，AI 運算推升高堆疊與高頻寬規格升級，而且 HBM4E 將成為下一代 AI GPU 主流配置
在 AI 基礎建設競賽推動下，SK 海力士與三星電子的激烈競爭，也象徵全球記憶體產業正式進入由 AI 驅動的超級循環週期。
