輝達 Rubin Ultra 記憶體規格傳變陣 三星、SK 海力士 2027 年 Q2 量產 HBM4 8 層版
Celine
輝達 Rubin Ultra 記憶體方案傳調整 HBM4 8 層版將加入供應
韓國媒體《ZDNet》報導，三星電子與 SK 海力士計畫自 2027 年第二季起，針對輝達大規模量產並出貨第六代高頻寬記憶體（HBM4）8 層堆疊產品。這代表輝達下一代 AI 加速器的記憶體配置可能出現變化，HBM 市場的產品組合也將更加多元。
目前，三星電子與 SK 海力士的 HBM4 主力量產規格仍以 12 層堆疊產品為主。不過，隨著輝達重新評估下一代 AI 加速器 Rubin Ultra 的記憶體設計，8 層 HBM4 也被納入評估範圍。
報導指出，輝達原先計畫為 Rubin Ultra 搭載第七代高頻寬記憶體 HBM4E 12 層產品，但自 2026 年第三季起，開始同步評估多種配置，包括 HBM4E 8 層、HBM4 12 層，以及 HBM4 8 層。
知情人士表示，輝達未來可能依照 Rubin Ultra 所採用的 NVL 機架級系統規模，混合配置 HBM4 8 層與 HBM4E 8 層產品。2026 年仍將以 HBM4 12 層為主要供應規格，但預估自 2027 年年中起，8 層產品的占比將明顯提高。
散熱、良率與供應成三大考量 HBM4 堆疊層數不再愈高愈好
輝達重新評估 HBM4 記憶體規格，主要與散熱管理、製造良率及供應穩定性三大因素有關。
首先，HBM4 的輸入輸出（I/O）介面寬度已由前一代擴大至 2048 位元，隨著資料傳輸能力提升，晶片的熱密度與系統散熱壓力也隨之增加。若進一步採用更高層數的堆疊設計，將使散熱管理面臨更大挑戰。
其次，堆疊層數愈高，後段製程的累積損耗與製造難度也愈大，12 層產品的良率提升難度高於 8 層產品。對需要大量出貨的 AI 加速器而言，如何兼顧效能、良率與量產規模，將直接影響供應鏈的交貨能力。
第三，2027 年整體 DRAM 供應預期仍偏緊。若改採較低層數的 HBM 堆疊，在相同 DRAM 晶圓產出下，有機會製造更多組 HBM 產品，進而增加可供應的 GPU 數量。
換言之，輝達評估的重點不只是單一記憶體產品的效能，也包括整體 AI 系統的散熱能力、製造成本與出貨規模。對大型 AI 資料中心而言，如何在效能與供應量之間取得平衡，將是下一代平台設計的重要課題。
三星、SK 海力士提前備戰 HBM4 8 層產品仍須通過輝達認證
面對輝達可能調整記憶體配置，三星電子與 SK 海力士正為 2027 年擴大 HBM4 8 層產品出貨做準備，相關工作涵蓋零組件與材料供應、品質測試及量產準備。
不過，兩家公司目前雖已完成輝達對 HBM4 12 層產品的認證，8 層產品仍須另外接受認證，才能正式進入供應體系。
業界人士指出，市場先前曾預期 HBM4 8 層產品可於 2026 年下半年開始供貨，但實際進度有所延後。相較 12 層產品，8 層產品的認證難度預期較低，因此業界認為，後續認證出現額外變數的可能性相對較小。
然而，最終出貨時程與供應規模，仍取決於輝達的產品配置決策、客戶認證進度，以及記憶體廠商的量產準備情況。
HBM 市場競爭轉向規格與供應效率 2027 年產品組合成觀察重點
若輝達自 2027 年起提高 8 層 HBM4 產品的採用比例，對三星電子與 SK 海力士而言，除了既有 12 層產品之外，也將增加另一項重要出貨規格。
對輝達來說，若 8 層產品能在散熱、良率與供應量方面帶來優勢，便有機會提升 AI 加速器的整體交付能力，降低高階記憶體供應受限對系統出貨的影響。
不過，8 層產品是否能大幅取代 12 層規格，仍有待觀察。不同堆疊層數與記憶體世代之間，在容量、頻寬、功耗及系統設計上仍存在差異，實際配置須配合 AI 加速器的效能需求與整體架構。
整體而言，輝達重新評估 Rubin Ultra 的 HBM 配置，反映 AI 晶片競爭已不再只是追求更高堆疊層數，也必須兼顧散熱、良率與量產效率。2027 年 HBM4 8 層產品的認證進度、量產規模與實際採用比例，將成為觀察三星電子、SK 海力士及 AI 伺服器供應鏈的重要指標。
