SK 海力士推出高效散熱 DRAM，提升手機效能
全球第二大記憶體大廠 SK 海力士宣布，已成功開發並開始向客戶供應業界首款採用 High-K EMC（高導熱環氧模封料） 的行動 DRAM 產品。此產品大幅提升散熱效率，專為解決智慧型手機在端側 AI（On-Device AI）運算過程中高速數據處理所引發的過熱問題。
手機效能瓶頸：PoP 結構加劇散熱挑戰
目前高階智慧型手機多採用 PoP（Package on Package） 結構，將 DRAM 垂直堆疊於行動處理器（Application Processor）之上，以節省空間，並提升速度。然而此結構也讓處理器的熱量集中於 DRAM，成為整機效能下降的重要因素。
SK 海力士指出，散熱問題已成為高性能旗艦手機的主要痛點，此次新技術可有效改善用戶體驗，並獲得多家全球客戶的高度評價。
High-K EMC 新材料 導熱率提升 3.5 倍
為了突破散熱瓶頸，SK 海力士在傳統 EMC（環氧模封料） 所使用的二氧化矽（Silica）基礎上，混合氧化鋁（Alumina），開發出全新的 High-K EMC。
與傳統材料相比，新材料導熱率提升 3.5 倍，同時將熱量傳導路徑的熱阻降低 47％，有效提升 DRAM 散熱性能。這不僅有助於增強整機效能，還可降低功耗，延長電池續航並提升產品壽命。
積極卡位新世代行動 DRAM 市場
SK 海力士 PKG 產品開發擔當副社長李圭濟表示：「此次產品不僅提升效能，也大幅緩解高端智慧型手機使用者的困擾。我們將持續以材料創新為基礎，鞏固在新一代行動 DRAM 市場的領導地位。」
業界人士認為，隨著 AI 手機需求升溫，散熱效能將成為關鍵競爭力，SK 海力士此舉可望進一步推動其在行動裝置記憶體市場的成長動能。
再者，該產品若能大規模導入旗艦手機，將進一步推動行動 DRAM 高附加價值化，為 SK 海力士帶來新一波成長動能。投資人預期，該公司有望憑藉技術領先，擴大在行動裝置記憶體市場的市占率，並提升中長期獲利能力，且將對三星電子、美光（Micron） 等競爭對手形成壓力，迫使同業加速相關材料與封裝技術的研發。
