SK 海力士聲稱其 HBM 技術相對領先
發佈時間：2024/06/12
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Ryan Chen
Ryan Chen
為什麼重要
SK 海力士的創新技術提升了 HBM 產品的堅固性，對於需要高耐用性記憶體的 AI 和高性能計算市場來說，這意味著更高的可靠性和效能。
透過技術領先，SK 海力士有望加強其在半導體市場的競爭地位，對英偉達等主要 AI 半導體公司以及與台積電合作的先進封裝領域造成直接影響。
背景故事
業界競爭激烈，SK 海力士、三星電子和美光科技等公司在半導體製造技術上不斷創新，以爭奪市場份額。
發生了什麼
SK 海力士聲稱其 HBM 採用獨特的大規模回流成型底部填充（MR-MUF）技術製造，比使用熱壓縮非導電膜（TC-NCF）製造的產品堅固 60%。
透過使用尖銳工具刺穿 HBM 安裝的 DRAM 頂部進行測試，發現其晶片的划痕比使用 TC-NCF 生產的晶片少。
SK 海力士還展示了其下一代封裝技術「垂直扇出（VFO）」的開發狀態，該技術涉及在沒有半導體基板的情況下將四個 LPDDR 存儲器垂直堆疊在計算單元頂部。
接下來如何
SK 海力士的技術創新預計將吸引其主要客戶，進一步鞏固其在先進半導體封裝領域的領先地位。
「垂直扇出（VFO）」技術的開發成功將為 SK 海力士開拓新的市場機會，特別是在高性能計算和 AI 應用領域。
他們說什麼
SK 海力士的技術團隊表示，MR-MUF 技術的應用顯著提高了 HBM 的物理強度，這對於提升產品的可靠性和產量至關重要。
市場分析師指出，SK 海力士在半導體封裝技術上的創新，尤其是「垂直扇出（VFO）」技術，可能會對競爭對手形成壓力，迫使他們加快技術開發和創新步伐。
