SK 海力士投資創新,引領技術未來
發佈時間:2024/03/11
為什麼重要
SK 海力士的投資將直接提升其在高階半導體封裝技術領域的競爭力,影響半導體供應鏈及相關產業的技術進步和成本效益。
新技術如 MR-MUF 和 TSV 的應用,將促進更高效能和更低功耗的電子產品開發,影響消費電子、數據中心和汽車產業。
背景故事
SK 海力士開發了第三代 HBM 技術 HBM2E,並創新封裝方式,顯示公司在半導體技術創新方面的持續努力。
李康旭副社長於 2022 年開發了一種名為大規模回流模塑底部填充(MR-MUF)的新封裝工藝,這項技術有助於提高散熱性和產量,標誌著 SK 海力士在封裝技術上的重大進步。
發生了什麼
SK 海力士計劃於 2024 年在韓國投資超過 10 億美元,以擴大其測試和封裝能力,顯示公司對提升產品質量和生產效率的承諾。
預計 SK 海力士 2024 年的資本支出總額將達到 105 億美元,這一龐大的投資額度凸顯了公司對於技術創新和市場領導地位的追求。
SK 海力士將新投資的大部分資金用於推進 MR-MUF 和 TSV(硅通孔)技術,這些技術的發展將進一步提升 SK 海力士在半導體行業的競爭力。
接下來如何
SK 海力士的投資將加速 MR-MUF 和 TSV 技術的商業化進程,預期將提升公司在高性能計算和數據中心市場的競爭地位。
他們說什麼
李康旭副社長進一步指出,半導體行業的未來 50 年將重點放在晶片封裝技術上,這說明了 SK 海力士對於行業趨勢的洞察和公司長期發展策略的規劃。
概念股
參考資料
編輯整理:Ethan Chen