SK 海力士開發 HBM4 16 層產品，預計 2025 年下半年出貨
為什麼重要
SK 海力士開發的 HBM4 技術將直接提升半導體產品的效能、容量和散熱效率，對於需求高速大容量記憶體的 AI 市場和資料中心具有關鍵影響。
隨著 HBM 市場規模的擴大，SK 海力士的技術進步將加速半導體行業的創新，影響相關供應鏈和投資趨勢。
發生了什麼
#HBM4 開發、#48GB 容量、#2025 年出貨
SK 海力士正在開發 HBM4 16 層產品，採用先進的 MR-MUF 技術和混合鍵合技術。
HBM4 產品將提供最大 48GB 容量和每秒超過 1.65TB 的資料處理速度，預計將在 2025 年下半年出貨 12 層產品。
SK 海力士計畫根據客戶需求，選擇最適合的技術來開發 HBM4 產品，並預計從 HBM4E 開始，產品將具有更強的定製性。
背景故事
#MR-MUF 技術、#混合鍵合技術、#HBM 市場增長
MR-MUF 是 SK 海力士自主研發的封裝技術，首次應用於第三代 HBM（HBM2E），具有生產效率高和可靠性強的優點。
混合鍵合技術能直接連線銅與銅，減少半導體間距，提高訊號傳輸效率，但技術難度較高，目前尚未應用於 HBM。
根據 CFM 快閃記憶體市場資料，2024 年 HBM Bit 供應量預計達到 110 億 Gb，佔 DRAM Bit 比重約為 4.8%，顯示出 HBM 市場的增長潛力。
接下來如何
#AI 需求增加、#全球合作、#市場規模
隨著 HBM 效能的提升，AI 市場對 HBM 的需求預計將增加，進一步推動 SK 海力士在高效能記憶體領域的發展。
SK 海力士計畫加強與全球合作夥伴的協作，以構建生態系統，有效應對客戶需求，並解決頻寬、容量、能效方面的技術難題。
HBM 市場規模預計將在 2024 年達到 150 億美元，約佔 DRAM 市場的 20%，預示著 HBM 技術的市場潛力和成長空間。
他們說什麼
SK 海力士副總裁 Kang-wook Lee 表示，公司正在開發 HBM4 及後續世代產品，並根據客戶需求選擇最佳的技術方法來開發 HBM4 產品。
Lee 副總裁強調，透過提高 MR-MUF 和混合鍵合技術的成熟度，SK 海力士能夠滿足客戶對記憶體大容量化的需求，並預計從 HBM4E 開始，產品將具有更強的定製性。
概念股
參考資料
- SK海力士利川工厂M10F转型HBM生产线
- SK海力士：明年下半年出货12层HBM4，HBM4 16层将采用MR-MUF工艺
- SK하이닉스, 이천 M10F서 HBM3E 양산 확정…4분기 장비 발주
