宇川精材（7887）1 月 13 日登興櫃 攻先進製程材料商機
隨著半導體先進製程持續朝 3 奈米、2 奈米甚至埃米世代邁進，製程控制精度要求大幅提升，原子層沉積（ALD）技術的重要性日益凸顯。由於 ALD 採逐層沉積方式，對材料純度與反應穩定性要求極高，高純度前驅物（Precursors）已成為確保奈米級厚度控制與製程一致性的關鍵材料，並逐步取代部分傳統 PVD、CVD 製程。
宇川精材打入先進製程 躋身全球四大供應商
專注於半導體 ALD 前驅物的宇川精材（7887），已正式通過先進製程晶圓大廠驗證，並開始量產出貨，成為全球僅有的四家供應商之一，其餘三家皆為 Merck、Air Liquide、Hansol 等國際化工巨頭。宇川不僅是名單中唯一的台灣廠商，也象徵國內材料技術成功切入全球最尖端製程供應鏈。
半導體級前驅物屬於第三、第四類公共危險化學品，具高度化學活性，於製造、儲存與運輸過程中皆需極高安全規格，稍有不慎即可能引發燃燒甚至爆炸。宇川生產基地設於南部科學園區，相較國際競爭對手具備在地化生產與短鏈供應優勢，不僅降低運輸風險，也提升即時服務與客戶黏著度。
先進製程占比逾六成 在地化生產成競爭優勢
從營運面觀察，宇川 2025 年前十一月累計營收達 1.21 億元，其中約 66% 來自先進製程用 ALD 前驅物，顯示產品結構已明顯轉向高附加價值半導體材料。公司指出，隨著既有產線調整完成，聚焦半導體級材料生產，11 月單月已達損益兩平，未來隨著規模放大，毛利結構有望持續改善。
擴產因應先進製程浪潮 產能將放大 6 至 10 倍
看好先進製程長期擴產趨勢，宇川規劃投資約新台幣 30 億元興建新廠，預計 2026 年上半年取得建照後動工，2027 年底完工，並於 2028 年正式投產。新廠量產後，整體產能可望較目前放大 6 至 10 倍，為未來數年成長預留充足空間。
法人指出，AI 應用快速擴張，帶動 HBM 高頻寬記憶體與 CPO 共同封裝技術加速導入，使先進製程結構更為複雜，沉積步驟明顯增加，進一步推升 ALD 前驅物材料需求。宇川也表示，隨著製程難度提升，公司將持續投入技術開發，「不會缺席先進製程的每一次演進」。
AI、HBM 與 CPO 推升需求 ALD 用量持續增加
宇川精材成立於 2011 年，早期聚焦太陽能與化合物半導體材料，2019 年起與聯華林德合作切入先進製程前驅物研發，並於 2024 年成功打進 Tier 1 半導體客戶供應鏈。公司預計於 1 月 13 日以每股 76 元登錄興櫃，隨著先進製程材料國產化趨勢升溫，後續表現備受市場關注。
