三星電子公布 HBM4E、LPDDR6 最新進度，估 2027 年量產 HBM4E
發佈時間：2025/10/17
三星鎖定 HBM4E 13Gbps 傳輸速率 目標 2027 年量產
在 2025 開放運算計畫（OCP）全球高峰會上，三星電子宣布其下一代高頻寬記憶體（HBM4E）研發進度，並將目標針腳傳輸速度設定為 13Gbps，預計於 2027 年量產。
HBM4E 將採用 2048 個針腳進行資料傳輸，換算後的頻寬可達 3.25TB/s，顯著提升 AI 與高效能運算（HPC）應用的處理效能。三星同時指出，HBM4E 的能效將是目前 HBM3E 的兩倍以上，顯示其在 AI 伺服器記憶體市場的技術領先企圖。
揭示 LPDDR6 規格 傳輸效能與能效同步升級
三星亦在峰會中公布旗下首款 LPDDR6 行動記憶體的詳細規格。該產品符合今年 7 月正式發布的 JEDEC 國際標準，目標實現 114.1GB/s 的頻寬與每針腳 10.7Gbps 的資料速率。
與現行 LPDDR5X 相比，LPDDR6 在功率效率上提升約 20％，將為智慧型手機、平板與 AI 行動裝置帶來更佳的性能與續航表現。
HBM4E 與 LPDDR6 的推出，代表三星在高效能與低功耗記憶體領域的雙線佈局。隨著 AI 運算與行動裝置對高速記憶體需求快速攀升，三星此舉有望強化其在全球半導體市場的主導地位。
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編輯整理：Celine
