三星將於 ISSCC 2026 發表 6 代 HBM4 頻寬提升 1.4 倍、鎖定 AI 加速器需求
將於 2026 年 2 月登場的國際固態電路研討會（ISSCC 2026），記憶體技術成為焦點。ISSCC 韓國委員、SK 海力士研究員金東均表示，三星電子與 SK 海力士將展示多款新世代高效能記憶體，涵蓋 HBM4、LPDDR6 與 GDDR7 等。
ISSCC 為全球三大半導體會議之一，2026 年活動將於 2 月 15 至 19 日於舊金山舉行。本屆共收到 1,025 篇論文投稿，最終錄取 257 篇，其中韓國論文 46 篇。ISSCC 向以「接近量產的最新技術」為特色，企業研究員佔比超過半數。
三星 HBM4 頻寬達 3.3TB/s 較先前版本大幅升級
三星預計在會場公開 6 代高頻寬記憶體（HBM4），容量 36GB、頻寬高達 3.3TB/s，較先前於 SEDEX 2025 展出之 2.4TB/s 版本再強化。此代重新設計堆疊架構與介面，大幅提升速度與能效。
金東均指出，HBM4 導入 TDQS 自動校準技術，能提高在高速運作下的訊號準確度，特別適用於 AI 加速器、大型模型訓練等高頻寬場景。
SK 海力士展示 LPDDR6 與 GDDR7
金東均同步介紹 SK 海力士將展出下一代行動 DRAM LPDDR6，資料速率達 14.4Gb/s，比 LPDDR5X 具更高頻寬。
他指出，LPDDR6 採用 LDO 基礎時脈分配架構，即使在超高速運作下仍可維持訊號穩定。
此外，海力士還將展示採 對稱式雙通道架構的 GDDR7，速度達 48Gb/s、容量 24Gb，支援 GPU、AI 邊緣推論與高解析度遊戲等應用。
鎧俠、威騰推 QLC CBA 超高密度 3D NAND
3D NAND 領域方面，鎧俠（Kioxia）與威騰（Western Digital）將展示採 QLC 與 CBA（CMOS Bonded Array）架構的超高密度產品。透過混合鍵合方式縮短訊號延遲、提升能效。
金東均表示，該架構結合 300 層以上堆疊，效率已「逼近 HDD 水準」。
2040 年 HBM9 預測曝光：頻寬將達 128TB/s、較 HBM4 提升逾 60 倍
在 27 日於首爾舉行的半導體技術論壇上，韓國 NanoFab 研究員梁俊模提出 HBM 至 2040 年的技術路線圖。他預測，HBM9 頻寬可達 128TB/s，是 HBM4（2TB/s）以上 60 倍的突破。
HBM9 也將提升：
資料傳輸率：36Gbps（為 HBM4 4 倍）
I/O 數量：32,768 個（為 HBM4 16 倍）
容量：從 24GB 擴展至 96GB
高階堆疊技術需擺脫 micro-bump
梁俊模指出，為了突破堆疊高度與散熱瓶頸，自 HBM7 起須採用「無凸塊（bump-less）銅對銅直接鍵合」技術，以實現 24 層以上堆疊。
現行 micro-bump 高度受限，最多僅支援 16 層；若繼續加高會讓 GPU＋HBM 模組高度超標。
散熱成關鍵：D2C → 浸沒式 → 內嵌式冷卻
面對高速 HBM 的散熱挑戰，他指出各世代將採用不同冷卻策略：
HBM4：直接晶片液體冷卻（D2C）
HBM5：改採 液體浸沒式冷卻
HBM7 起：發展 晶片內嵌式冷卻（Embedded Cooling），散熱效率更高但製程難度也更大。
業界關注「高頻寬 NAND（HBF）」
梁俊模也提出，隨著 AI 從生成式走向自治式（Agentic AI），光靠 DRAM 已不足以處理極大量資料。因此可能需要容量更大的 HBF（高頻寬 NAND）。不過， NAND 存取壽命有限，若要與 HBM 搭配使用，仍需克服耐久度問題。
