三星電子新計劃，邏輯晶片性能提升，HBM4 量產在望
發佈時間：2023/12/27
為什麼重要
三星電子的新計劃將提升邏輯晶片的性能，這將直接影響 HBM4 的性能，這項技術的提升將對整個半導體產業產生深遠影響，包括 GPU 製造商和其他半導體公司。
背景故事
三星電子一直在尖端領域設計邏輯晶片工藝，與其主要競爭對手進行激烈競爭。
發生了什麼
三星電子正在推行一項計劃，將更先進的工藝應用於邏輯晶片，以提高 HBM 的整體性能、功率效率和面積（PPA）。
三星電子正在討論縮小邏輯晶片的線寬度，這將有助於提供根據客戶需求的定制化產品。
第五代 HBM3E 將於明年開始量產，而第六代 HBM4 的量產日期設定為 2025 年。
接下來如何
如果三星電子成功縮小邏輯晶片的線寬，將有助於提高 HBM 的整體 PPA，並可能實現又一次技術變革。
三星電子的這項策略將有助於增強邏輯晶片的性能，並可能對 HBM4 的量產產生影響。
提到的股票
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編輯整理：Maggie Wei
