三星 4 奈米邏輯晶片良率提升至逾 40％，加速 HBM4 開發
發佈時間：2025/04/18
為什麼重要
三星 4 奈米邏輯晶片良率的提升及其先進封裝技術的應用，將加速高效能 HBM4 記憶體的開發，對半導體及記憶體技術領域產生深遠影響。
透過自主晶圓代工技術，三星在全球科技巨擘中提供客製化晶片解決方案的能力增強，對於與台積電競爭的市場格局將產生重要影響。
背景故事
三星為了提升邏輯晶片的效能，引入了多項新工藝，進一步加強其在晶圓代工領域的競爭力。
與依賴台積電生產邏輯晶片的競爭對手不同，三星利用自身的先進技術，為全球科技巨擘推客製化晶片。
三星 HBM4 專案的成功關鍵在於其記憶體部門能否量產第六代 10 奈米級（1c）DRAM 晶片，以及其採用的封裝技術。
發生了什麼
三星 4 奈米邏輯晶片的測試生產良率已超過 40％。
這款邏輯晶片是三星 12 層 HBM4 的關鍵元件，良率的提升預計將加速三星 HBM4 的開發。
三星採用的封裝技術是先進的熱壓非導電薄膜（TC-NCF）技術，在每個晶片之間放置一層薄膜。
接下來如何
三星 HBM4 專案的開發進度預計將因邏輯晶片良率的提升而加速。
三星的記憶體部門面臨著量產第六代 10 奈米級（1c）DRAM 晶片的挑戰，這是 HBM4 專案成功的關鍵。
三星採用的熱壓非導電薄膜（TC-NCF）技術在熱管理方面的挑戰需要被克服，以確保技術的可行性和效能。
他們說什麼
業內人士指出，三星採用的熱壓非導電薄膜（TC-NCF）技術在熱管理方面帶來了挑戰，這可能影響到晶片的整體效能和可靠性。
尚未有來自三星管理層的直接評論關於這一技術挑戰或是 4 奈米邏輯晶片生產良率提升的具體影響。
提到的股票
概念股
參考資料
編輯整理：Celine
