三星次世代 5G 數據機晶片改採 2 奈米！M2800 鎖定 2028 年旗艦機，4 奈米產能轉攻 HBM
Celine
三星電子（Samsung Electronics）正調整行動數據機晶片與晶圓代工產能布局。據韓媒報導，三星下一代外接式 5G 數據機晶片 M2800 系列將由現行 4 奈米製程升級至 2 奈米，預計明年完成開發，並鎖定 2028 年推出的 Galaxy S28 系列。隨著新一代數據機轉向先進製程，三星也計畫將部分 4 奈米產能轉向高頻寬記憶體（HBM）基礎晶粒生產，以因應 AI 記憶體需求。
M2800 改採 2 奈米製程 鎖定 Galaxy S28 系列
根據業界消息，三星電子系統 LSI 事業部已決定，下一代外接式 5G 數據機 M2800 將採用 2 奈米製程，預計於 2027 年完成開發，並搭配新一代 Exynos 2800 處理器，以雙晶片架構應用於 2028 年的 Galaxy S28 系列手機。
相較之下，預計搭載於 2027 年 Galaxy S27 系列的 M2700 仍將維持 4 奈米製程，並與 Exynos 2700 處理器搭配使用。
三星今年推出的 Galaxy S26 系列，部分機種同樣採用外接式數據機設計。其中，韓國市場的 Galaxy S26 標準版與 Plus 版搭載 Exynos 2600 處理器及 Shannon 5410 數據機；美國市場機種則採用高通 Snapdragon 8 Elite 第五代行動平台。
業界人士指出，三星已將原本的 Shannon 數據機品牌改為 M 系列，Shannon 5410 對外也曾以 Exynos Modem 5410 之名介紹。後續 M2700 將延續 4 奈米製程，M2800 則成為轉向 2 奈米的重要產品。
4 奈米產能轉向 HBM 強化 AI 記憶體布局
M2800 改採 2 奈米製程，除了有助於新一代數據機的效能與功耗優化，也將為三星 4 奈米產線釋出部分產能。
據報導，三星正重新配置晶圓代工產能，將 4 奈米製程產能主要轉向 HBM 相關晶粒生產。HBM 最底層的控制區域基礎晶粒（Base Die）負責記憶體堆疊中的控制功能，三星目前以 4 奈米製程製造這類晶粒。
隨著 AI 伺服器與加速器對 HBM 的需求持續增加，基礎晶粒的製程與產能配置也成為供應鏈布局重點。三星透過將新一代行動數據機推進至 2 奈米，並重新安排 4 奈米產能，有望讓先進製程資源更集中於不同產品線的需求。
M2700 維持 4 奈米 透過設計與軟體升級改善表現
雖然 M2700 仍採用 4 奈米製程，但據報導，其在三星行動體驗（MX）事業部的內部測試中，評價較前一代產品有所改善。
M2700 透過調整晶片設計與軟體，提升功耗效率及資料傳輸速度，並採用光學縮小（Optical Shrink）技術，在不更換製程節點的情況下縮小晶片面積，據稱面積可減少約 4％。
通訊規格方面，M2700 預計由 3GPP Release 17 升級至 Release 18，並改善非地面網路（NTN）衛星通訊功能，進一步強化行動裝置在新一代通訊標準下的應用能力。
業界人士表示，前一代 Shannon 5410 在閒置狀態功耗及標準化功耗測試環境下，表現曾落後競爭對手；M2700 則經過電壓調整等優化後，據稱已能達到與競品相當、甚至更好的水準。
三星同步推進行動晶片與先進製程 後續仍待產品驗證
從產品規劃來看，三星數據機晶片將分階段升級：M2700 延續 4 奈米製程，M2800 則預計跨入 2 奈米，搭配 Exynos 2800 處理器，為 2028 年旗艦手機預作準備。
另一方面，三星也藉由調整 4 奈米產能配置，增加 HBM 基礎晶粒的生產資源，反映其在行動晶片與 AI 記憶體之間重新分配製造能力的策略。
不過，M2800 目前仍處於開發規劃階段，實際效能、量產時程及 Galaxy S28 系列的最終搭載配置，仍有待三星後續公布與產品驗證結果確認。
