記憶體市場兩極化 DDR4、DDR5 報價續漲 低容量 eMMC、UFS 需求疲弱反跌價
Celine
中國十一長假結束後，記憶體現貨市場交易氣氛依舊低迷，市場詢單有限，買賣雙方態度趨於保守。不過，受到上游 DRAM 顆粒供應吃緊、報價持續走高帶動，通路及產業用 DDR4、DDR5 記憶體模組價格本週仍全面上漲；相較之下，64GB 及以下容量的嵌入式 eMMC、UFS 產品，由於終端需求疲弱、通路庫存偏高，報價持續走跌，呈現記憶體市場明顯的兩極化走勢。
高階 DDR 顆粒供應吃緊 DDR5 次級顆粒價格再創新高
從上游 DRAM 市場來看，高階 DDR 顆粒供應依舊緊張，部分原廠僅針對核心客戶提供有限資源，並逐月小幅調漲報價。至於 DDR5 次級顆粒，在原廠連續近 4 個月調漲後，價格已攀上歷史新高，進一步推升下游記憶體模組廠的採購成本。
不過，隨著 DDR5 顆粒價格不斷走高，個人電腦（PC）品牌廠對記憶體模組的價格接受度逐漸逼近極限，部分業者已難以將上游成本完全轉嫁至終端產品，因此開始採取較為保守的備貨策略。
值得注意的是，部分記憶體廠商正將採用 DDR5 次級顆粒的產品拓展至伺服器等應用領域。由於相關客戶對高價產品的接受度相對較高，仍願意採購價格昂貴的 DDR5 顆粒，也讓原廠 DDR5 16Gb eTT 報價持續上漲。
本週主要 DRAM 顆粒報價，DDR4 8Gb 3200 小幅上漲至 22.4 美元，DDR5 24Gb Major 小漲至 58 美元，DDR5 16Gb Major 也微幅上漲至 46 美元，DDR5 16Gb eTT 小幅上漲至 27 美元。
DDR4、DDR5 模組價格全面走揚 海外需求成重要支撐
受到通路 DDR5 資源價格持續攀升影響，記憶體模組廠採購成本壓力增加，進一步帶動成品報價調漲。本週通路市場 DDR4、DDR5 記憶體模組價格全面上漲，其中 DDR5 主要受到上游顆粒成本推升，DDR4 則受惠於部分海外訂單對價格的接受度較高，報價同樣走揚。
企業用記憶體市場也出現類似情況。經過近一季的連續上漲，DDR5 次級顆粒價格已升至每 Gb 約 1.7 美元。儘管中國記憶體廠商逐步調高模組成品價格，但相同容量與規格的產品，與海外市場相比仍存在一定價差。
由於 DDR 顆粒價格仍持續上漲，部分中國客戶對目前的記憶體價格已難以接受，但考量海外客戶仍有較高的價格承受能力，業者正嘗試進一步調升相關產品報價。本週企業用的 8GB、16GB DDR5 記憶體模組價格因此小漲。
整體而言，DDR4、DDR5 產品的漲勢主要來自上游資源緊缺與成本推升，海外市場的價格接受度則成為業者持續調價的重要支撐。不過，當高價逐漸超出部分 PC 品牌廠的承受範圍，後續需求能否跟上價格漲幅，仍是市場關注焦點。
NAND Flash 晶圓貿易價跌至每 Gb 約 0.3 美元 短期仍難止跌
與 DRAM 市場走勢不同，NAND Flash 晶圓市場仍面臨價格壓力。自今年三月中下旬以來，NAND Flash 晶圓貿易價格與原廠官方報價出現明顯倒掛，兩者價差持續擴大，主流 512Gb NAND Flash 晶圓的貿易價格已跌至每 Gb 約 0.3 美元。
市場分析指出，下游記憶體廠商庫存逐漸攀高，採購意願持續降低，但原廠目前仍堅持穩價策略，預期未來可能透過搭售、附贈等優惠條件推動出貨，而非直接大幅下調官方報價。
在原廠尚未正式改變晶圓報價策略之前，貿易市場未必會立即出現恐慌性殺價。然而，近期市場情緒持續低迷，部分貿易商為加速去化庫存，仍可能採取降價出清策略，使 NAND Flash 晶圓貿易價格短期內難以止跌。
低容量 eMMC、UFS 庫存壓力升高 64GB 以下產品逆勢降價
嵌入式記憶體市場則是目前較弱勢的領域。中國大陸「十一」長假結束後，市場詢單依舊稀少，通路仍有大量不同品牌、64GB 及以下容量的 eMMC、UFS 產品等待消化。
由於終端客戶庫存偏高，多數業者已沒有明顯補庫需求，甚至有部分買方反過來向市場出售手中庫存，進一步增加貿易市場的供給量。在供過於求的情況下，eMMC、UFS 貿易價格持續走低，也使記憶體廠商的官方報價與通路成交價格之間的差距進一步擴大。
本週 64GB 及以下容量的嵌入式 eMMC，以及 64GB UFS 產品價格均小幅下滑，成為記憶體市場中少數仍呈現跌勢的產品。
整體來看，當前記憶體市場已呈現 DRAM 與 NAND、不同應用領域之間的分化。 DDR4、DDR5 受惠於上游顆粒供應緊張與成本上漲，模組價格持續走高；NAND Flash 晶圓及低容量嵌入式記憶體則受到庫存偏高、終端需求疲弱與貿易商降價去化影響，價格仍承受下行壓力。後續市場能否改善，將取決於終端需求回溫速度、下游庫存去化進度，以及原廠對供貨與報價策略的調整。
