SK 海力士 1c DRAM 滲透率拚明年 首季超車 1b！HBM4E 成新戰場
Celine
1c DRAM 占比快速攀升 明年 Q1 有望首度超越 1b
SK 海力士（SK hynix）新一代 1c DRAM 製程轉換速度持續加快，市場預期明年第 1 季有望首度超越 1b DRAM，成為公司 DRAM 產品的主流製程。
韓媒《ChosunBiz》引述業界消息指出，SK 海力士 1c DRAM 占比今年第 1 季約 10%，第 2 季升至約 13%，預估第 3 季將進一步拉升至約 24%，第 4 季則可達約 34%。
若按照目前轉換速度推進，明年第 1 季 1c DRAM 占比可望達到約 35%，首度高於 1b DRAM 約 33% 的比重，正式成為 SK 海力士的主流製程。
相較之下，1b DRAM 占比在今年第 2 季一度攀上約 43% 高峰，近期則開始走低，隨著新一代 1c 製程加速導入，舊世代製程占比也將逐步縮減。SK 海力士先前已在第 2 季法說會確認，採用 10 奈米級第 6 代製程的 1c DRAM，已於當季正式供貨。
HBM4 先用成熟 1b 1c 瞄準下一代 HBM4E
1c 製程快速轉換，也牽動 SK 海力士與三星電子在高頻寬記憶體（HBM）市場的競爭格局。
在 HBM4 布局上，SK 海力士考量量產穩定性，選擇以相對成熟的 1b DRAM 搭配 MR-MUF 封裝技術，優先確保 HBM4 的量產良率與供應穩定；至於更先進的 1c DRAM，則預計在下一代 HBM4E 首次導入，成為核心晶粒。
三星電子則採取不同策略，從 HBM4 階段便導入 1c DRAM，運行速度達 11.7Gbps，顯示兩大記憶體廠在製程升級時程與 HBM 產品策略上存在明顯差異。
不過，業界人士指出，1c 製程轉換速度雖然受到市場關注，但真正的競爭力仍須觀察量產良率、客戶認證進度，以及能否順利轉化為實際出貨。
單片晶圓產出提升 1c 製程有望降低成本
相較於前一代製程，1c DRAM 的優勢不只在於晶粒尺寸微縮，更重要的是能提高單片晶圓的 bit 產出。換言之，在投入相同數量晶圓的情況下，能產出更多記憶體容量，有助於降低單位成本，並提升成本競爭力。
對 SK 海力士而言，隨著 1c DRAM 製程持續擴大，加上伺服器 DRAM 與 HBM 等高附加價值產品同步擴產，製造效率提升有機會進一步反映在毛利率與整體獲利表現上。
HBM4 擴產帶動通用 DRAM 出貨 下半年 bit 增長加速
SK 海力士預期，隨著下半年 HBM4 產能持續擴大，採用 1c 製程的通用 DRAM 出貨量也將同步增加，推動整體 bit 出貨成長率進一步提升。公司預期下半年 bit 增長率將高於上半年，顯示 AI 伺服器、高階記憶體需求仍是推動產能升級的重要力量。
從產業趨勢來看，1c DRAM 即將成為主流，不僅代表 SK 海力士正式進入新一代 DRAM 製程轉換週期，也將進一步影響 HBM4E 的產品競爭力。若 1c 製程能在良率與客戶認證方面順利達標，未來隨著高階 DRAM 與 HBM 需求持續成長，其帶來的單位成本下降與產能效率提升，將有望成為 SK 海力士改善獲利的重要推力。
