英特爾 18A 晶圓廠全面投產，搶先進入 1.8 奈米製程時代
英特爾（Intel）於美國時間 9 日宣布，其位於亞利桑那州的 Fab 52 晶圓廠正式全面投產，採用最先進的 1.8 奈米（18A）製程技術。該廠將生產下一代筆電處理器 「Panther Lake」 以及伺服器用晶片 「Xeon 6+」，兩款產品預計於 2026 年正式上市。這代表英特爾在超微製程競賽中搶先跨入 1.8 奈米量產階段。
🔹首款 18A AI 筆電晶片登場 伺服器晶片 Xeon 6+ 強化 AI 運算
Panther Lake 是英特爾首款採用 18A 製程的客戶端系統單晶片（SoC），同時亦為該公司首個 AI PC 平台。該晶片兼具高效能與低功耗特性，能源效率達到「Lunar Lake」等級，而性能表現則可比擬桌機旗艦「Arrow Lake」。英特爾計劃自明年起在新款筆電中導入此平台，強化 AI 運算與生產力應用。
針對資料中心市場，英特爾推出 Xeon 6+，最多支援 288 個 E 核心（Efficient Core），每時鐘週期的指令處理效能（IPC）較前代提升 17％。該晶片針對 AI 訓練、推論、通訊與高密度運算等應用進行優化，在能源效率與處理密度方面皆顯著提升，預期將成為 AI 伺服器市場的重要推力。
🔹1.8 奈米製程試圖超越台積電、三星
18A 製程為電路線寬約 1.8 奈米的超微細工藝，目前全球具備 5 奈米以下製程量產能力的僅有台積電（2330）、三星電子。不過，業界評估，英特爾已透過 18A 技術率先完成量產佈局，領先兩家主要對手。台積電與三星在美國的 2 奈米製程預計最快也要到 2026 年底 才能量產。
🔹EUV 製程與新架構並進
此次 18A 是英特爾第三代採用極紫外光（EUV） 的製程，並整合兩項關鍵技術：
RibbonFET：全新閘極環繞式（GAA）電晶體結構，可顯著提升晶體管密度。
PowerVia：後端供電架構，能提升功率效率與穩定性。
英特爾指出，18A 製程相較前代可降低 36％功耗、提升 25％效能，是公司執行前 CEO 帕特·基辛格（Pat Gelsinger）於 2021 年提出的「4 年完成 5 項製程（5N4Y）」藍圖的最後一個里程碑。
🔹美國政府與民營企業聯手支持
Fab 52 廠去年曾迎來美國總統拜登親自造訪，當時政府承諾提供《晶片法案》（CHIPS Act）補助，顯示美方對英特爾半導體戰略的高度重視。即使政權更迭至川普政府，對英特爾的扶植政策仍持續進行，近期更宣布收購英特爾 10％股權，以強化產業控制。
此外，英特爾也積極吸引民間資金，包括軟銀（SoftBank）與輝達（NVIDIA） 的投資，構築美國半導體自主製造體系。公司目前在奧勒岡負責研發與試產、亞利桑那州主導量產、新墨西哥州則負責封裝與整合。
🔹英特爾 CEO：美國製造復興的象徵
英特爾執行長陳立武（Lip Bu Tan）表示：「美國是英特爾研發、設計與製造的根據地。隨著 18A 製程啟動量產，我們不僅延續創新傳統，也讓美國半導體製造重回全球領先地位。」
總而言之，英特爾 Fab 52 正式投產，象徵該公司成功完成製程躍升，並重新在高階晶片製造賽道上取得主導權。隨著 AI 運算需求激增、美國製造政策的推進，英特爾 18A 製程將成為全球半導體版圖重組的重要關鍵。
