半導體前段設備產業追蹤:代理式 AI 需求激增,2027 年設備產值成長幅度將更勝 2026 年
前言
半導體設備巨頭 - ASML、科林研發、科磊近期都已公布了最新一季營運報告,本文將整理法說會釋出的關鍵訊息,並追蹤半導體前段設備市場後續展望。內容涉及的產業與公司包含:
半導體前段設備:ASML、應用材料 (AMAT)、科林研發 (LRCX)、TEL 東京威力科創、科磊 (KLAC)
半導體前段設備供應/協力商:京鼎 (3413)、帆宣 (6196)、翔名(8091)、公準 (3178)、瑞耘 (6532)
半導體廠務工程:漢唐 (2404)、聖暉 (5536) 、亞翔 (6139)、洋基工程 (6691)、帆宣 (6196)、信紘科 (6667)、朋億 (6613)、兆聯(6944)
DRAM 原廠:美光、海力士、三星
NAND 原廠:美光、海力士、三星、鎧俠
晶圓製造:台積電 (2330)、Intel (INTC)
代理式 AI 需求激增,邏輯先進製程、DRAM、NAND 需求全面加速
自 2025Q3 起 Hyperscaler 對 AI 投資力道加速下,雖已帶動晶片與半導體設備需求明顯增加;但隨著近期代理式 Agentic AI 需求激增,再度半導體設備後續產值上修。相較於單純 AI 推理流程:使用者提問 → 模型產生答案,代理式 Agentic AI 將用戶任務拆成更多次推理、更多狀態保存、更多驗證循環、更多資料讀寫,導致運算與儲存晶片需求皆大幅提升。

代理式 AI 需要更多 GPU、AI ASIC、CPU,先進邏輯製程需求大增
代理式 AI 會進行多次 AI 推理迭代,理所當然需要更多 GPU、AI ASIC 進行運算。然而代理式 AI 運作流程中不僅只有推理運算,還多了大量呼叫工具、查詢內部 RAG 資料庫、搜尋外部網頁、中間資料寫入再取用 … 等偏向流程控制、資料傳輸、資料存取類型任務,這類任務傳統 CPU 更為擅長,因此也推動 CPU 需求開始加速攀升。
參考 Intel 最新法說會觀點,當 AI 由訓練走向推論、代理時,CPU 需求明顯提升,使得公司近期 Server CPU 業務處於嚴重供不應求狀態。
陳立武,Intel 執行長:
在從訓練階段過渡到推理階段時,CPU 的表現至關重要。在推論端,無論是在流程編排、控制計劃,或是管理所有不同代理的資料方面,CPU 的效率都遠高於 GPU。所以我認為 CPU 對 GPU 的使用比例,過去是 1 比 8,現在是 1 比 4,而且我認為會朝向 1 比 3 甚至更好。因此我認為需求非常強勁。
更多 GPU、AI ASIC、CPU 需求,導致 5nm 以下、甚至 10nm 以下的先進邏輯製程更不應求加劇。
代理式 AI 暫存狀態更多更久,傳統 DDR、HBM 需求同步大增
代理式 AI 會進行多次 AI 推理,暫存推理所需上下文的 KV cache 需求也同步上升,HBM 需求理所當然受惠。然而快速增長 KV cache 導致 HBM 供給難以跟上,KV cache 需求外溢轉向由傳統 DDR 暫存 (也就是所謂 KV cache 卸載技術),也推動傳統 DDR 進一步上升。
不僅 KV cache 暫存需求,代理式 AI 多輪推理也更頻繁檢索內部資料、RAG 資料庫、外部網頁,這些為了推理而臨時產生的資料檢索也需更多傳統 DDR 暫存。代理式 AI 任務執行所需時間往往持續數分鐘、數小時,甚至跨工作日,這又讓以上資料檢索暫存於 DDR 的時間拉長,又進一步推升傳統 DDR 需求。
基於以上,相較於過去 AI 訓練時偏重於 HBM,代理式 AI 興起導致傳統 DDR、HBM 需求同步大增。傳統 DDR 過往 AI 訓練時期受惠不明顯,但轉向推理與代理式 AI 開始大幅受惠,這將使得 2026 年傳統 DDR 在低基期下成長幅度更勝 HBM。個人持續維持過去兩季以來觀點:
2026 年非 HBM DRAM 成長更勝 HBM
代理式 AI 產生更多資料,NAND / 企業級 SSD 需求同步大增
代理式 AI 加速資料產生,帶動長久儲存資料的 Storage 需求同步上升
代理式 AI 多輪推理過程會產生大量中間結果,這些資料過於龐大,只有部分關鍵內容會被提取暫存於 DRAM,剩餘資料則是先存放另外的 Storage 中
上面所儲存的大量中間結果資料,在一定時間後會進行過濾、驗證、摘要、去重流程,提取值得未來檢索重用的內容,再將這部份有用的新內容寫回 RAG 內部知識庫,這又導致用於儲存 RAG 內部知識庫的 Storage 需求也隨之上升
一個複雜的代理式 AI 可能歷時甚久。為了防止硬體故障導致任務進度全部歸零,系統必須定期將當前任務狀態備份,確保能隨時從斷點恢復。
為了讓人類能夠事後審查 AI 的決策邏輯、追蹤它是否產生幻覺,代理式 AI 多輪推理日誌與試錯軌跡也都必須被持久化儲存下來,以供後續檢視。
代理式 AI 產生更多中間資料、RAG 資料庫、備份資料儲存需求,連帶使得 NAND / 企業級 SSD 需求同步大增。
半導體設備 2026 下半年加速成長,2027 年成長幅度將更勝 2026 年
代理式 AI 推動短期邏輯先進製程、DRAM、NAND 需求加速攀升下,記憶體與先進邏輯製程業者擴產腳步相較於去年底再度加快,設備採購支出也再度明顯上調:
台積電 2026 資本支出由 520~560 億美元上調為 560 億美元,年增 +37%。其中用於 GPU、AI ASIC、CPU 的 3nm 於台、美、日三地加速擴產
Intel 2026 資本支出由下滑上調為持平,其中設備支出預計年成長 +25%,原本定調不擴產的 Intel 10 和 Intel 7 製程也決定增產,已支應供不應求的 Server CPU 業務
美光 2026 年淨資本支出兩次上調,由 200 億美元上調至 250 億美元,年成長 +80%
SK 海力士預計 2026 資本支出大幅增加,遠遠超過 2025 年水準
三星最新電話會議表預計 2026 年半導體相關資本支出顯著成長
科林研發最新電話會議表示,NAND 客戶製程升級腳步明顯加快,且停滯已久的綠地投資 (全新廠房與產能) 也終於開始啟動。
基於以上,前段半導體設備業者亦跟進上調 2026 年展望
ASML 2026 年營收展望由 340~390 億上調為 360~400 億美元,平均成長幅度由 +11.5% 上修至 +16.1%
科林研發預期 2026 年晶圓廠設備 (WFE) 規模成長幅度由 +22.7% 上修至 +27.3%
科磊預期 2026 年 WFE 規模成長幅度由 +10.7% 上修至 +14.8%
TEL 東京威力科創預期 2026 年 WFE 平均成長率由 +15% 上調至 +21% 以上
以上符合個人過去兩季以來觀點:
2026 前段設備成長動能將強於個人先前預期,並有望持續至 2026 下半年。
也符合個人上季以來觀點:
半導體製造巨頭對資本支出展望較上季預計更為強勁,2026 年半導體設備產值成長有望上調至 +15~20%
儘管擴產需求強勁,但短期晶片需求上調太猛太急,而下游晶圓製造業者既有廠房空間已快速不足下,沒有足夠空間可以擺放設備機台,這將暫時壓抑上游設備廠 2026 年出貨,使得 2026 年設備產值成長潛能無法全力釋放。但隨著新無塵室於 2026 下半年~2028 年陸續完工,上游設備廠設備交付與認列營收將開始加速:
台積電自 2025 年末開始將部分成熟製程設備轉移給關聯企業世界先進,釋放更多人力資源與廠房空間給先進製程
台積電高雄 P3 廠、美國亞利桑那 P2 廠估計 2026 下半年無塵室完工準備進機
台積電高雄 P4、P5 廠、新竹寶山 P3 廠、中科 P1 廠、南科 Fab18 新增一座 P9 廠、美國亞利桑那 P3 廠估計 2027 年無塵室完工準備進機
三星平澤 P4 廠預計 2026 下半年進機,第二期估計年底進機;美國泰勒廠預計 2026 下半年進機試產
SK 海力士 M15X 第二個無塵室估計於 26 年底完工,龍仁新廠預計於 27Q1 完工準備進機
美光愛達荷州 ID1 廠量產時程由 2027 下半年提前為 2027 年中 ,向力積電採購的苗栗銅鑼廠2027 上半年才能開始進機
基於以上,個人維持上季以來預期:
半導體設備業者預計 2026 下半年~2027 上半年起營運加速成長
考量因無塵室空間不足,2026 年部分設備採購需求將遞延至 2027 年,且 2027 年客戶無塵室空間將較 2026 年更為充足下,個人預期 2027 年前段半導體設備產值成長幅度將更勝今年。
美國禁令再起,無礙半導體設備成長大趨勢
AI 中長期成長趨勢確立,但短期地緣政治風險持續帶來部分雜音。4/2 美國國會提出 MATCH (Multilateral Alignment of Technology Controls on High-end Hardware Act) 草案,意欲再度針對半導體設備出口增加更多管制。此次草案管制對象同樣是針對中國,並多增加一些列管對象:
除了過往實體清單中公司 (例如中芯、華為、長江存儲),這次明確點名華虹、長鑫存儲,這等於檯面主要中國半導體製造公司都想禁
不只上面被列管的公司要禁,這些公司的子公司、關係企業、繼受人、有合資合作研發的機構,通通都要納入被禁範圍。
但更關鍵的是,草案內容表示盟國在管制上美國不一致,暗示盟國在放水導致中國一直有漏洞可鑽,因此法案明確要求美國行政機關要透過外交手段和盟國施壓:
明確點名浸潤式 DUV 要禁,這個明顯是針對 ASML 和荷蘭政府
明確點名 TSV 沈積與蝕刻設備、低溫蝕刻設備、鈷沉積設備要禁,這個明顯是針對 TEL 和日本政府
如果外交施壓盟國還是不甩,美國會自己直接去管制盟國設備商設備出口,或是間接卡住盟國設備商設備裡必需的美國關鍵零件/技術
MATCH 法案目前仍尚未定案,但即便後續真的上路,個人估計對於半導體前段設備影響有限:
中國業者於 2023~2025 年已提前大幅拉貨,即便沒有管制壓力,2026 年起中國佔全球前段設備採購需求估計將由 4 成以上降至僅約 2 成,這使得後續管制帶來負面影響範圍自然縮小。
2026~2027 年已知的 AI 成長動能更多來自非中國地區,此部分成長機會不受未來法案影響
綜合以上,個人預計 MATCH 法案將無礙半導體前段設備 2026~2027 年高成長趨勢。
後續展望
最後我們嘗試推估相關供應鏈上公司後續營運表現。
半導體前段設備:2026 下半年~2027 年營運加速成長,美系業者受新法案管制壓力小於海外
隨著下游晶圓製造客戶擴產需求急升,半導體前段設備大廠對 2026~2027 年成長更為樂觀:
ASML 2026 年營收展望由 340~390 億上調為 360~400 億美元,平均成長幅度由 +11.5% 上修至 +16.1%。公司預期 EUV 出貨量 2026 年至少 60 台,2027 年至少 80 台,這意味著 2027 年營收有望再成長 +15% 以上。
科林研發預期 2026 年營收成長高於 +23%,且表現將優於同業
科磊營收預期 2026 年成長由 +11~20% 上調至 +17~19%;公司更預期 2027 年成長率將更高於2026 年成長率水準
應用材料預期 2026 年自身半導體設備營收成長超過 +20%
半導體設備大廠對 2026 年營收成長預期皆達雙位數,大致符合個人過去兩季以來預期:
主要前段設備業者:ASML、應用材料 (AMAT)、科林研發 (LRCX)、TEL 東京威力科創、科磊 (KLAC) 2026 年營運估計將仍有不錯成長
ASML 對於 2026 年展望持續上調但弱於同業,大致符合個人過去兩季以來預期:
2026 年 ASML 營運成長動能或將落後於同業。

雖然美國 MATCH 法案個人預期對半導體設備成長影響有限,但考量法案動機在於施壓荷蘭、日本等盟國管制力道需與美國一致, 後續法案一旦確定實施,個人估計對於非美業者 - ASML、TEL 東京威力科創的負面影響會略高於美國業者。
半導體前段設備供應/協力商:2026 下半年~2027 年營運加速成長
台灣有不少業者為美系半導體設備大廠的供應/協力商,例如:帆宣(6196)、京鼎 (3413)、翔名(8091)、公準 (3187)、瑞耘 (6532) … 等,其業績與美系客戶營運高度連動,因此亦可能於 26 上半年步入營運短期高點。
隨著設備大廠 2026~2027 年成長展望持續上調,台灣半導體設備大廠的供應/協力商預計也將隨之受惠,個人持續維持過去兩季以來預期:
台灣有不少業者為美系半導體設備大廠的供應/協力商,例如:京鼎 (3413)、帆宣 (6196)、翔名(8091)、公準 (3178)、瑞耘 (6532) … 亦有望受惠。
半導體廠務工程:2026~2027 年持續受惠台積電台、美兩地加速擴產
短期晶片製造業者供應瓶頸在於廠房與無塵室不足,因此預期 2026~2027 年半導體廠務工程將於設備廠同步受惠下游客戶積極擴產。其中,台積電、美光 2026~2027 年於台灣、美國兩地多個新廠建案持續加速展開:
台積電新竹寶山 Fab20 P3、P4 廠興建中,預計 26~27 年完成興建
台積電高雄 Fab22 P4、P5 廠興建中,預計 27 年完成興建
台積電台中 Fab25 於 2025 年底動工,預計 27~28 年完成興建
台積電南科 Fab18 新增一座 P9 廠,預計於 2027 年上半年量產
台積電美國 P2 廠 26 上半年將進行無塵室、水氣化與機電等基礎設施建置,預計 26 下半年開始移入設備,投產時間將提早至 2027 年
台積電美國 P3 廠正在興建中,P4 廠預計將於 26 年開始興建
台積電美國第一座先進封裝預計將於 26 年開始興建
美光新購入的力積電銅鑼廠 P2 廠預計 26Q3~26Q4 於建造,規模與 P1 類似 4 萬片/月
個人維持過去四個季度以來看好廠務工程未來三年成長的觀點,持續預期漢唐 (2404)、聖暉 (5536) 、亞翔 (6139)、洋基工程 (6691)、帆宣 (6196)、信紘科 (6667)、朋億 (6613)、兆聯(6944) 等業者 2026~2028 年穩定成長。
