DRAM 產業追蹤：2026 年非 HBM DRAM 成長或將更勝 HBM
前言
DRAM 巨頭三星、SK 海力士在近期公布了最新一季營運報告。今天我們就來檢視報告中釋出的相關訊息，了解以下產業後續展望：
先進製程 DRAM，相關公司：美光、海力士、三星
成熟製程 DRAM，相關公司：南亞科 (2408)、華邦電 (2344)
記憶體封測族群，相關公司：力成 (6239)、南茂 (8150)、福懋科 (8131)
25Q3 回顧：Hyperscaler 需求爆發，DRAM 供不應求加劇
25Q3 三大 DRAM 原廠業績皆優於預期：
SK 海力士 DRAM 營收 19.1 兆韓圜，季成長 +11.4%，出貨量強於預期
三星 DRAM 營收估計約 18~19 兆韓圜， 約季成長 +30%，出貨量強於預期
美光 DRAM 營收 89.8 億美元，季成長 +27.1%，高於財測預期
三大廠 DRAM 業績成長超越各自財測，不僅受惠於 HBM 與 Server DRAM 採購需求強勁，原預期較弱的消費性 DRAM 業績於近期也出乎預期走強。
SK 海力士經營階層：
Now it is true that the memory market this year has entered into what can be called a super boom cycle with surge in demand across all products unlike earlier expectations. Such changes have only recently appeared …
今年記憶體市場確實進入了一個所謂的超級繁榮週期，所有產品的需求都出現了激增，這與之前的預期大相徑庭。這種變化是近期才出現的 ...
然而，消費性 DRAM 出乎意料走強並非源自終端需求改善，而是 Hyperscaler 短期需求爆量，擠壓消費性 DRAM 供給不足的結果。在看好 AI 需求下，亞馬遜、微軟、Google、Meta 於最新法說會紛紛大幅上調今明兩年投資力道：
亞馬遜 AWS：2025 年資本支出由 1150~1185 億美元上調至 1250 億美元，2026 預計將再度成長
Google：2025 年的資本支出由 850 億上調至 910~930 億美元，預期 26 年資本支出將再大幅增加
微軟：原預期會計年度 2026 資本支出成長將放緩，近期改口為成長將上調加速
Meta：2025 年的資本支出由 660~720 億上調至 700~720 億美元，較去年成長 +90%，預期 26 年增速還會更高
參考 NVIDIA 於近期 GTC 大會中簡報，預期 2026 年 CSP (主要為 Hyperscaler) 資本支出將較今年再增加約 1000 億美元 / 成長 +24%，高於年中時市場預期成長幅度僅 +15~20%。
短期對 AI 投資力道加速下，Hyperscaler 為了確保未來 4~6 季 Server DRAM 庫存充足，於上季開始猛烈擴大對 DRAM 採購，甚至開始要求與 DRAM 廠簽訂多年期長約鎖定供應與價格。由於 Server DRAM 利潤率高於消費性 DRAM， 三大廠自然將產能優先傾向供應 Hyperscaler，進而消費性 DRAM 供給出現間接缺貨。
DRAM 大廠的 Server 業績持續強勁，符合個人去年 9 月底以來觀點：
考量 HBM 25 年難供過於求，傳統 DRAM 與 NAND 產能支出仍將持續有限，而需求端無論 AI 或傳統通用伺服器當將成長，個人看好 25 年美光與整體產業 Server 記憶體營收持續成長。
但 Server DRAM 需求熱度遠比年初估計高出甚多，明顯擠壓到消費性 DRAM 供給量，使得 DRAM 大廠 2025 下半年消費性業務也將受惠報價上漲而成長，不符合個人上季擔憂消費性記憶體近年底時展望可能轉弱觀點。
2026 年先進製程 DRAM 供不應求，非 HBM 成長或將更勝 HBM
在 Hyperscaler 對 Server DRAM (包含 HBM) 需求激增下，三星、SK 海力士、美光皆表示 2026 年資本支出將大幅增加，既有產線擴產規劃也開始提前加速，但個人預估 2026 年 DRAM 供給實質增幅仍將有限，主要原因在於：
2026 年資本支出中不小比重用於廠房新建 (Green field)，但三大業者新廠量產時間皆預期在 2027 年之後，這使得 2026 年晶圓投片量成長可能 +10% 以內
2026 年資本支出中不小比重用於 HBM 擴產，但 HBM3E 消耗矽晶圓量是傳統 DDR5 3 倍，HBM4 消耗矽晶圓量更上升到 DDR5 的 4 倍，隨著 HBM 佔位元需求來到 10%，對於實際晶圓產能消耗量佔比將上升至 30~40%，持續壓抑三大廠 DRAM 位元產出釋放
個人預估三大廠 2026 年 DRAM 位元產出成長將在 +15~20%，對比 SK 海力士預估需求成成長將上調至 +20% 以上，顯示 2026 先進製程 DRAM 供給成長速度將低於需求，個人維持先前觀點：
個人看好 2026 上半年先進製程 DRAM 將持續供不應求，供需結構優於 DDR4。
2026 年非 HBM DRAM 成長不遜於 HBM
值得注意的是，儘管 HBM 仍是市場焦點，但個人預期其 2026 年成長幅度將明顯低於 2025 年：
供給有限下，2026 年 HBM 位元出貨量成長預估將降至 3~4 成，低於 2025 年三位數增長。
HBM 供不應求下報價理應明顯上漲，但三星為了爭奪市占率，25Q2 於 HBM3E 市場展開積極削價競爭，HBM3E 跌價幅度短期估計約 2~3 成，研調機構 TrendForce 預估 2026 年跌幅可能縮小至 1~2 成
HBM4 報價雖有望高於今年 HBM 均價 4 成以上，但估計佔 2026 年 HBM 整體出貨量比重僅約 35~40%，在 HBM3E 跌價抵銷後，個人預估 HBM 2026 年平均報價漲幅將僅約於 +10%
基於以上，個人預期 2026 年 HBM 產值成長幅度約 +40~55%，明顯低於今年三位數以上成長。
相較於 HBM，非 HBM 的先進製程 DRAM (Server、高階 PC、高階手機用 DRAM) 2026 年成長動能則有望明顯高於今年：
SK 海力士預估 2026 年 DRAM 位元需求量將成長 +20% 以上，高於今年的 +17~19% (high-teen)；個人以此推算 2026 年非 HBM DRAM 位元需求量將成長 +17~19%，明顯高於今年僅 +10~11%
隨著 NVIDIA 推出 Rubin CPX，在推理的 pre-fill 階段採用 GDDR7 取代 HBM4，有望推動非 HBM Server DRAM 需求於 2026 下半年進一步攀升
先進製程 DRAM 供不應求下，預計非 HBM DRAM 2026 上半年報價有望大漲 +25~30%，下半年估計不會跌價，使得全年報價漲幅高於 HBM
綜合以上推算，2026 年非 HBM 的先進製程 DRAM 產值有望較今年成長 +50% 以上，成長幅度並不遜於 HBM。
成熟製程 DRAM 2026 上半年成長將強於預期，惟留意下半年風險浮現
隨著三星、SK 海力士、美光加速將產能優先供應 Hyperscaler，成熟製程 DRAM 短期供應更為緊缺，帶動 DDR3/DDR4 2026 上半年報價漲幅有望強於個人先前預期。然而漲勢能否持續至 2026 下半年，仍有部分不確定性：
晶圓代工業者中芯國際於近期法說會表示，因記憶體短缺與價格暴漲，使得下游手機、消費電子、車用客戶下單開始縮手，2026 上半年訂單能見度明顯下滑。這顯示記憶體價格暴漲已開始壓抑下游消費性需求，不利於 2026 年成熟製程 DRAM 需求。
長鑫存儲 2025 年將其成熟製程產能由 DDR4 轉向生產 DDR5，轉換初期不順導致其量產延後；但 10 月底公司宣布推出用於手機與筆電的 LPDDR5X，8533/9600 Mbps 產品已量產，10667 Mbps 產品已送樣給客戶認證。若長鑫存儲 LPDDR5 後續量產與認證進度順利，將使得中國手機、筆電用 LPDDR 供給增加，亦可能部分抵銷成熟製程 DRAM 2026 下半年報價漲勢。
DDR4 價格暴漲下，下游 PC、手機業者將於 26 上半年新款機型將加速轉向支援 DDR5，將進一步削減 DDR4 等中低階成熟製程採購需求
綜合以上，個人認為仍需留意以上負面因素是否影響 2026 下半年成熟製程 DRAM 供需。
相關產業鏈上公司後續展望
最後我們嘗試從以上觀點，推估相關產業鏈上公司後續營運表現
先進製程 DRAM：2026 年三星 DRAM 業務成長性將優於同業
受惠記憶體產業如個人先前預期於 25Q2 落底回溫，DRAM 三巨頭：SK 海力士、三星、美光 DRAM 前三季累計營收都轉為上升，然而其中三星表現明顯不如對手：
三星 DRAM 前三季累計營收年成長 +15%
SK 海力士 DRAM 前三季累計營收年成長 +64.5%
美光 DRAM 前三季累計營收年成長 +35%
三星成長遜於同業主因有二：
無法打進 NVIDIA HBM3 主流供應，市占率持續流失給海力士與美光
非 HBM 產品營收佔比高，但消費性 DRAM 供需上半年偏弱，使整體成長受限。
然而參考前面觀點所述，個人認為以上兩項阻力都將未來 2~3 季轉為三星成長助力
三星 1c 新製程設計已針對熱功耗特別優化，加上 NVIDIA HBM4 規格上調，導致美光 HBM4 送樣與認證時程因此推遲，以上使得三星對 NVIDIA HBM 供應有望於 2026 趕上美光
三星雖在 NVIDIA HBM 認證與供貨進度落後，但在 AMD 和 Hyperscaler 自研 ASIC 的 HBM 市占率明顯較高。隨著 AMD GPU 與 Hyperscaler 自有 ASIC 明年開始進入大幅放量期，非 NVIDIA 佔整體 HBM 位元需求量比重預計從今年的低於 30%，上升至 2026 年的 45% 以上，三星也將因此連帶受惠，帶動其 HBM 營收成長幅度有望高於對手
三星目前非 HBM 佔 DRAM 營收比重明顯高於 SK 海力士與美光，但考量 2026 年非 HBM 的先進製程 DRAM 產值將較今年大幅成長，三星受惠非 HBM DRAM 成長幅度也將高於對手。
綜合以上，個人持續預期 2026 年三星 DRAM 業務成長性將優於同業，並維持上季以來觀點：
考量海力士 HBM 在良率與產量仍是最佳，三星的削價競爭對於美光於 NVIDIA 與各家 ASIC HBM 副供地位威脅更大，預期三星競爭對美光負面影響可能更大於海力士。
也持續維持近期觀點：
估計三星受惠非 AI DRAM 報價上漲幅度將高於海力士、美光；配合其 HBM 2026 年市占率有望回升，個人預期三星 DRAM 業務 2025 下半年~2026 上半年成長力道有望追上甚至強於同業，重回市占率龍頭寶座。
成熟製程 DRAM：南亞科、華邦電 2026 年上半年成長將優於預期，惟下半年仍有不確定性
受惠 DDR4 停產預期帶動報價大漲，以成熟製程為主的利基型 DRAM 業者：南亞科 (2408)、華邦電 (2344) 25Q3 營運順利轉虧為盈，符合個人 6/30 以來預期：
以成熟製程為主的利基型 DRAM 業者：南亞科 (2408)、華邦電 (2344) 25 下半年業績將顯著受惠 DDR4 停產帶動的漲價與備貨潮
兩者股價自 6/30 以來更暴漲 +200% 以上！
然而，相較於個人先前擔憂 DDR4 成長可能於 2026 上半年趨緩，近期 Hyperscaler 需求自 8 月急升下，三星、SK 海力士、美光加速將產能優先供應 Hyperscaler，將使得成熟製程 DRAM 供給更加有限，未來 2~3 季供需缺口將較個人先前預期更大。在此背景下，2026 上半年 DDR3/DDR4 報價漲幅、乃至於南亞科、華邦電業績有望強於個人先前預期。
不過如前面所述，成熟製程 DRAM 2026 年供需仍有潛在負面風險，是否壓抑 2026 年中後 DDR3/DDR4 報價、乃至於南亞科、華邦電業績漲勢 ，仍需密切觀察後續變化。
記憶體封測族群：2026 年上半年成長將優於預期
受惠於記憶體需求回升，記憶體封測族群業務自 25Q2 起反彈：
力成 (6239) 記憶體封測營收 25Q2 季增約 +12.4%、25Q3 季增約 +17.8%
南茂 (8150) 記憶體封測營收 25Q2 季增約 +21%、25Q3 季增約 +15.6%
福懋科 (8131) 營收 25Q3 季增約 +25.4%
雖然回溫時點略早於個人先前預估，但復甦態勢與個人 3 季前提出的觀點大致符合：
相關封裝記憶體封裝族群：力成 (6239)、南茂 (8150) 記憶體封裝營收上半年仍將偏弱，但下半年有機會逐步反彈。
展望後續，個人原先擔憂在消費性需求邁入淡季下，記憶體封測族群業務可能於 25 年底~26 上半年面臨走弱壓力；但隨著 Hyperscaler 需求短期急升，推動記憶體未來 2~3 季持續供不應求，個人預期記憶體封測族群：力成 (6239)、南茂 (8150)、福懋科 (8131) 等業者的記憶體業務成長有望持續至 2026 上半年。
IC 載板族群：BT 載板業務成長有望持續 2026 年上半年
DRAM 與 NAND 晶片封裝皆採用 BT 載板，估計佔整體 BT 載板需求至少 30~50%。目前台灣主要 BT 載板業者有：
景碩：BT 載板佔營收約 35%
南電：BT 載板佔營收約 25~30%
欣興：BT 載板佔營收約 10~12%
隨著記憶體需求於 25Q2 好轉，BT 載板需求亦隨之築底反彈；加上 T-glass 玻纖布原料緊缺、銅、金價年初以來高漲推動成本上升，BT 載板大廠自 25Q3 已陸續啟動漲價，推動 BT 載板營收與毛利率開回升。
考量 Hyperscaler 推動記憶體需求短期維持高檔，將帶動 BT 載板未來 2~3 季需求持續成長；而高階記憶體 BT 載板所採用 T-glass 玻纖布原料緊缺，將使得 2026 年高階 BT 載板供給持續吃緊，有望推動 2026 上半年 T-glass BT 載板價格持續上漲，相關業者 BT 載板業務將隨之受惠。綜合以上，個人預期載板族群：景碩 (3189)、南電 (8046) 的 BT 載板業務成長有望持續 2026 年上半年。
