半導體前段設備產業追蹤：AI 需求急升抵銷中國衰退，2026 設備需求將強於預期
前言
半導體設備巨頭 - ASML、科林研發 (LRCX) 於近期公布了最新一季營運報告，本文將整理法說會釋出的關鍵訊息，並追蹤半導體前段設備市場後續展望。內容涉及的產業與公司包含：
半導體前段設備：ASML、應用材料 (AMAT)、科林研發 (LRCX)、TEL 東京威力科創、科磊 (KLAC)
先進製程 DRAM，相關公司：美光、海力士、三星
先進製程邏輯，相關公司：台積電 (2330)
中國設備採購需求 2026 更加低迷
隨著時序進入 2025 年末，我們關注設備廠商對於 2026 年後續展望。ASML 與科林研發 25Q3 中國營收成長都較自身預期更為強勁：
科林研發原預期中國營收下半年衰退，但 25Q3 中國營收季增 +26.5%，年增 +48.5%
ASML 原預計中國佔營收比重降低 25~30%，但在 25Q3 中國營收季增 +54% 下，前三季中國累計設備收入仍佔整體 32%
儘管如此，ASML 與科林研發仍預期 2026 中國營收將明顯下滑，主因仍是美對中設備出口禁令持續收緊。美國商務部（BIS）在 09/29 新增 “Affiliates Rule”：凡是被列入實體清單（Entity List）或軍事最終用戶清單（MEU List）的公司，只要對另一家企業直接或間接、單獨或合計持有 ≥50% 股權，那家被持股的企業也將視同受管制對象。這意味著美對中設備出口禁令影響範圍再度擴大，將近一步限制 2026 中國對外設備採購動能。考量中國業者於 23~24 年已為應對美對中設備出口禁令提前大量拉貨，後續需求自然逐步轉弱。
Timothy Archer，科林研發 CEO
Our December quarter guidance does contemplate roughly a $200 million revenue impact from the recently announced 50% affiliate rule restricting shipments to certain domestic China customers. Currently, we expect this rule to impact our calendar year 2026 revenues by approximately $600 million.
最近宣布的 50% Affiliates Rule 將限制我們向某些中國國內客戶發貨，預計 12 月季度的指導確實考慮到了）對收入造成約 2 億美元的衝擊。目前，我們預計該規則將對 2026 日曆年的收入產生約 6 億美元負面影響。
Christophe Fouquet，ASML CEO
… we expect to see China customer demand and, therefore, our China total net sale in 2026 to decline significantly compared to our very strong business there in 2024 and 2025.
相較於 2024 年和 2025 年中國業務強勁，我們預計 2026 年中國客戶需求以及銷售額將大幅下降。
應用材料於 10/6 提交監管文件業也表示，美國商務部發布禁令新規預計使得 2026 會計年度營收減少 6 億美元。應用材料、科林研發中國營收受美國禁令收緊負面影響持續擴大，持續符合個人於 2024/12 月初觀點：
中國對美國半導體設備短期 16~28/45nm 製程設備需求將進一步減少
新增可用於先進製程的成熟製程設備明確管制，估將使得美國半導體設備大廠這部分 field service、備品收入減少
ASML 2025~2026 中國營收轉為逐年下滑，也大致符合個人去年 4 月於 AMSL 季報解析的觀點：
美國持續施壓荷蘭政府出口禁令趨嚴，不利 ASML 中國營運
AI 需求急升，2026 設備需求將強於預期
儘管中國可能拖累 2026 半導體設備採購需求，但受惠 25Q3 終端 AI 需求大幅急升，將能有效抵銷中國負面影響，因此 ASML 與科林研發對 2026 年展望轉為上調：
AI 需求短期急升降低了客戶對於關稅風險的擔憂，ASML 表示客戶的採購意願於短期開始由保守轉向積極，因此公司對於 2026 展望由 “持平” 轉向 “不低於 2025 年”
科林研發表示受惠 AI 需求強勁，將能有效抵銷中國營收下滑，預計營收成長將自 2025 下半年持續至 2026 下半年
科林研發估算每 1000 億美元數據中心投資，將可帶動額外半導體設備支出約 80 億美元。考量明年數據中心投資可能較今年增加 800~1000 億美元，將可以貢獻半導體設備支出增加 65~80 億美元，相當於貢獻額外 6~7 個百分點成長動能，使得 2026 半導體設備產值有望維持至 10% 以上成長。
其中，考量美國商務部於近期撤銷台積電、三星與海力士 VEU (Validated End-User) 授權，對記憶體供給影響高於邏輯製程，個人預期 2026 年記憶體設備採購需求上修幅度或將強於邏輯設備，原因在於：
參考美國商務部公告，未來若三者中國廠區欲採購美系半導體製造設備或軟體，需逐案申請，且批准僅限於維持現有產能，不得擴充或升級製程：
然而三星與海力士中國廠合計佔全球 NAND 產能高達 20%，其中三星西安廠主力節點為最先進的 236、286 層，海力士大連廠為高階企業級 SSD 生產主力，三星與海力士 VEU 被撤銷將明顯影響後續 NAND 先進製程供給成長
海力士無錫廠佔自身 DRAM 產能約 40%，全球 DRAM 產能約 10~12%，海力士 VEU 撤銷也將影響後續 DRAM 先進製程供給成長
台積電南京廠以 16/28nm 為主，並非 AI 採用的先進製程，且佔台積電產能僅 3%，美國商務部撤銷台積電 VEU 並不影響其先進製程供給
以此來看，AI 對先進製程需求短期明顯增強，但美國 VEU 撤銷限制對記憶體先進製程供給限制更甚於邏輯，將促使三星、海力士必須加速於中國海外擴充更多記憶體先進製程產能。ASML 上季新增訂單中，記憶體訂單季增 +186% 明顯高於邏輯，亦可部分印證以上觀點
綜合以上，在 VEU 撤銷限制與 AI 需求急升雙重刺激下，記憶體設備需求上修幅度或將強於邏輯，進而有效抵銷中國設備需求加速下滑，帶動 2026 前段設備成長動能將強於個人先前預期，並有望持續至 2026 下半年。
後續展望
最後我們嘗試推估相關供應鏈上公司後續營運表現。
半導體前段設備：ASML 2026 營運成長或將不如同業
儘管半導體前段設備都將受惠 AI 需求成長，但個人預期 2026 年曝光設備成長動能或將低於蝕刻、沉積與檢測設備：
邏輯先進製程 2026 主要需求仍將來自於台積電 N2、N2P、A16 等 2nm 節點，然而從 N3E 轉向 2nm 節點 EUV 曝光層數並未增加，但導入 GAA 架構卻帶動更多選擇性蝕刻與薄膜沉積步驟上升，這使得蝕刻、沉積設備受惠 2nm 程度高於曝光設備，導致科林研發、應用材料於 2nm 世代受惠幅度高於 ASML
AI 需求急升將持續推動 2026 先進封裝需求強勁。隨著邏輯、DRAM 先進封裝轉向 2.5D、3D 垂直堆疊形式，對先進蝕刻、沉積與檢測設備依賴更高，但曝光機主要則採用低階的 l-line、KrF DUV，這使得蝕刻、沉積與檢測設備成長強於曝光設備，將使得科林研發、應用材料、科磊受惠幅度高於 ASML
除了邏輯與 DRAM，AI 需求急升也加速推動大容量企業級 SSD 需求上升，而 SSD 容量上升仰賴 NAND 層數增加，因此估計 NAND 原廠 2026 年將加速推升 300 層以上製程比重。然而 NAND 層數增加主要仰賴先進蝕刻、沉積與檢測設備，這使得蝕刻、沉積與檢測設備受惠 NAND 支出成長將高於曝光設備，將使得科林研發、應用材料、科磊受惠幅度高於 ASML
基於以上，個人預期 2026 年 ASML 營運成長動能或將落後於同業。
DRAM：供不應求由 AI 蔓延至非 AI，三星受惠幅度高於同業
AI 對記憶體需求於 25Q3 急升下，雖然將刺激記憶體原廠於 2025 下半年開始加速擴產，但考量新增設備從採購到實際生產約需 3~4 季，且 DRAM 原廠目前產能利用率已滿載，因此 2026 上半年 Server DRAM、HBM 供不應求將加劇。
考量 Server DRAM、HBM 利潤率高於其餘產品線，短期需求激增但產能擴增仍需時間下，估計 DRAM 原廠會將既有產能優先供應高利潤的 Server DRAM、HBM，進而排擠消費性 DRAM 供給，亦將使得消費性 DRAM 2026 上半年難供過於求，消費性 DRAM 報價漲勢將優於個人先前認為雖成長但趨緩的預期。
三星過去一年由於 HBM 遲遲無法通過 NVIDIA 認證，24Q4~25Q2 連續三季成長表現不如同業 SK 海力士與美光，導致其 DRAM 龍頭寶座於 25Q2 讓位給 SK 海力士。但隨著供不應求由 AI 蔓延至非 AI DRAM，而三星目前 DRAM 營收中非 HBM / 非 AI 比重又高於同業，估計三星受惠非 AI DRAM 報價上漲幅度將高於海力士、美光；配合其 HBM 2026 年市占率有望回升，個人預期三星 DRAM 業務 2025 下半年~2026 上半年成長力道有望追上甚至強於同業，重回市占率龍頭寶座。