美光擴建日本廣島 DRAM 廠 2026 年 5 月動工、2028 年開始出貨 HBM
發佈時間：2025/12/02
據日本媒體報導，美光（Micron）將於 2026 年 5 月 啟動位於日本廣島縣東廣島市的 DRAM 工廠擴建工程，目標在 2028 年推出 HBM（高頻寬記憶體）產品。本次擴建投資規模高達 1.5 兆日圓，將導入最新製程設備，建構 月產 4 萬片先進製程 DRAM 的產能。
美光計畫於 2028 年 6～8 月間開始出貨 HBM，並在 2030 年 3～5 月把產能推向最大量。
日本政府最高補助 5,360 億日圓 力挺先進 DRAM 國產化
日本經濟產業省今年 9 月中旬宣布，將在 未來五年（至 2029 年度） 提供美光最高 5,360 億日圓（約 36 億美元） 的設備與研發補貼，協助廣島廠量產應用於 AI、車用自動駕駛等領域的先進 DRAM 技術。
補助附帶義務：量產後需穩定生產至少十年
根據補助條件，美光必須達成以下目標：
廣島廠量產後需持續生產至少 10 年
若市場出現供需吃緊，日本政府要求時，美光需配合增加 DRAM 產量
此舉展現日本政府積極推動半導體供應鏈本地化的決心，同時也使美光成為日本 AI 記憶體戰略的重要支柱。
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參考資料
編輯整理：Celine
