美光推全球首款 512GB DDR5 最高 9200 MT/s、功耗降逾 60％
Celine
512GB RDIMM 完成多平台展示 超微、英特爾同步驗證
美光科技（Micron Technology）宣布，已成功在多個伺服器平台展示全球首款 512GB DDR5 記憶體模組，最高傳輸速率達 9200 MT/s。美光表示，新產品可望為企業資料中心及雲端客戶提供更高容量、更高頻寬且更具能源效率的記憶體方案，以因應 AI、資料分析、記憶體資料庫及模擬等高負載工作需求。
目前超微（AMD）與英特爾均積極針對這款 512GB DDR5 RDIMM 進行平台驗證，盼進一步提升新一代伺服器平台對高容量記憶體的支援。
垂直堆疊 DRAM 單台 24 槽雙路伺服器最高達 12TB
美光指出，512GB RDIMM 之所以能實現超高容量，主要受惠於先進垂直互連封裝技術。產品透過矽穿孔（TSV）將多個 DRAM 裸晶垂直堆疊並互連，在單一 DRAM 封裝中提高記憶體密度，同時維持現代資料中心所需的效能。
依美光設計，單台配置 24 個記憶體插槽的雙路伺服器，最高可搭載 12TB DDR5 DRAM。512GB RDIMM 則可讓伺服器在既有機架與空間條件下支援多 TB 級記憶體容量，進一步擴大 AI 與資料庫工作負載、提高虛擬化密度，並改善整體能源效率。
美光雲端記憶體事業部資深副總裁暨總經理 Raj Narasimhan 表示，512GB RDIMM 可讓更大的資料集維持在靠近運算核心的主記憶體中，有助於支援更大型的 AI 及資料庫應用，同時提升伺服器資源利用率及電源效率。
AI、高核心 CPU 推升記憶體需求 功耗大幅降低
隨著大型語言模型（LLM）、代理式 AI（Agentic AI）、即時推論，以及高核心數 CPU 工作負載快速普及，資料中心對記憶體容量、頻寬及能源效率的要求同步提高。
美光表示，相較於使用 4 條 128GB RDIMM 的配置，512GB RDIMM 可降低超過 60% 的運作功耗，有助於資料中心在相同伺服器空間下提高記憶體容量與能源使用效率。
在記憶體受限的工作負載方面，例如採用 Spark 支援向量機（SVM）的資料分析，512GB RDIMM 相較於 256GB DDR5 配置，最高可提供 1.4 倍的效能提升。
此外，512GB 模組也可應用於 RocksDB、Redis 等記憶體密集型資料庫及快取平台，有助於提升資料吞吐量、增加並行處理能力，並讓大型資料集更有效率地擴展。
超微、英特爾攜手驗證 搶攻下一代 AI 伺服器
在生態系合作方面，美光正與主要伺服器平台業者合作，針對 512GB DDR5 RDIMM 進行跨平台驗證，以提升產品相容性並加速未來部署。
超微指出，AI 與資料密集型工作負載正在重新定義資料中心基礎架構需求，超微與美光的工程合作，將運算與記憶體技術結合，以協助客戶提升超微平台的整體效能。
英特爾則表示，AI 及其他資料密集型工作負載持續成長，使伺服器對記憶體容量及頻寬的需求愈來愈高，英特爾正與美光合作驗證 512GB DDR5 RDIMM，為下一代資料中心平台提供支援。
512GB DDR5 預計 2027 下半年量產 市場聚焦 AI 記憶體升級
美光預計，512GB DDR5 RDIMM 將依客戶需求，在 2027 年下半年進入量產。
此次推出高容量 DDR5 RDIMM，反映 AI 運算快速擴張下，伺服器記憶體需求正從單純追求頻寬，進一步轉向「高容量、高效能、低功耗」並重，尤其大型 AI 模型及記憶體密集型資料庫需要處理的資料量持續增加，如何在既有伺服器空間中提高記憶體容量與能源效率，已成為資料中心升級的重要課題。
美光 512GB RDIMM 目前仍處於平台驗證階段，實際量產時間、產品效能及市場導入規模，仍將取決於客戶驗證進度及後續需求。
