AI 帶動記憶體超級循環再現 三星電子 Q4 初估獲利創史上新高
單季營業利益首度突破 20 兆韓元 重奪全球記憶體市佔龍頭
受惠於生成式 AI 熱潮推升伺服器與高效能運算需求，記憶體價格強勢反彈，三星電子公布 2025 年第四季初步業績，營業利益一舉創下歷史新高，展現半導體景氣強勁的復甦動能。
三星電子公告，2025 年第四季合併營收達 93 兆韓元（約 641 億美元），年增 23％；營業利益為 20 兆韓元（約 138 億美元），年增高達 208％，不僅創下公司史上單季新高，也成為韓國企業首度單季營業利益突破 20 兆韓元的里程碑。
業績大幅超越預期 證券圈驚呼「超級財報」
根據市場原先預估，券商平均預測三星第四季營業利益約為 18.99 兆韓元，此次實際數字大幅超出預期逾 1 兆韓元，繳出亮眼的「超級財報」。
在第四季強勁表現帶動下，三星電子 2025 年全年營收達 332.77 兆韓元，年增逾 10％；全年營業利益為 43.53 兆韓元，較前一年成長 33％。三星預計將於 1 月 29 日公布完整財報與各事業群細節。
DS 部門撐起獲利引擎 記憶體重回全球第一
雖然三星並未揭露事業群別初估數據，但市場普遍推估，負責半導體的裝置解決方案（DS）部門第四季營業利益達 16～17 兆韓元，占整體獲利比重逾八成，成為主要成長引擎。
市調機構 Counterpoint 指出，三星電子第四季在全球記憶體市場市占重返第一，單季記憶體營收達 259 億美元，占整體市場約 40％，其中 DRAM 營收 192 億美元、NAND Flash 營收 67 億美元，雙雙位居全球第一。
DRAM 市場方面，三星在連續三季落後 SK 海力士後，時隔一年再度奪回龍頭地位。Counterpoint 分析，高伺服器需求推升通用型記憶體價格，是三星重返市占第一的關鍵。
AI 需求引爆價格飆升 HBM 成長動能強勁
業界指出，生成式 AI 加速器需求暴增，加上資料中心伺服器汰換週期啟動，DRAM 與 NAND 皆供不應求，推升價格快速上揚。市調資料顯示，DDR4 記憶體部分規格價格較低點已上漲數倍。
三星 DS 部門同時受惠於高頻寬記憶體（HBM）放量，HBM3E 已擴大供應至多家客戶，並提前取得 2026 年產能需求。市場預期，三星 HBM4 將搭載於輝達（Nvidia）下一代 GPU「Rubin」，並有望通過品質驗證，成為未來成長關鍵。
非記憶體業務同時回溫 法人看好全年獲利挑戰百兆韓元
除了記憶體外，三星非記憶體事業也有所改善。晶圓代工部門去年與特斯拉簽署高達 165 億美元的大型合約，並承接部分蘋果（Apple）影像感測器（CIS）訂單。市場也傳出，高通（Qualcomm）正在評估採用三星 2 奈米製程生產高階的驍龍（Snapdragon）處理器，為代工業務帶來新動能。
在 AI 記憶體需求持續擴張、HBM 供給放量與通用 DRAM 價格續揚的趨勢下，法人普遍看好三星電子 2026 年營運表現，部分券商甚至預期，全年營業利益有機會挑戰 100 兆韓元大關，半導體「超級循環」行情正逐步成形。
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參考資料
- 三星电子发布2025年Q4业绩预估：营业利润创历史新高
- 삼성전자, 작년 4분기 영업익 20조원...국내 최초
- 삼성전자, 지난해 4분기 메모리 1위 유지...매출 37조 기록
- 삼성전자, 메모리로 분기 최대 영업익...올해 영업익 100조 가능성
