三星 V10 NAND 量產，科林研發、東京威力科創爭奪極低溫蝕刻設備訂單
發佈時間：2025/08/21
據韓媒報導，三星電子正在考慮在第十代（V10）NAND 閃存產線同時採用科林研發（Lam Research）與東京威力科創（Tokyo Electron,TEL）的極低溫蝕刻設備。兩家公司均已通過三星下一代工藝的新技術性能評估，預計將正式展開訂單競爭。
極低溫蝕刻技術挑戰高堆疊 NAND
極低溫蝕刻設備需在零下 60 至 70 攝氏度環境下運行，比傳統蝕刻工藝低 30 至 40 攝氏度，技術難度極高，目前僅少數設備公司掌握此項技術。
三星 V10 NAND 將擁有超過 400 層的高堆疊結構。隨著存儲單元（Cell）堆疊層數增加，連接通道孔的深度必須大幅提升，縱橫比急劇增加，迫使三星引入極低溫蝕刻技術以應對新挑戰。
科林研發、東京威力科創展開競爭
在 NAND 蝕刻設備領域，科林研發長期占據主導地位。新進供應商東京威力科創需提供全新極低溫蝕刻設備，而科林研發則有望透過升級現有設備來鞏固競爭優勢。據悉，科林研發已透過替換 V10 NAND 現有設備模組的方式，實現極低溫工藝技術。
隨著性能評估完成，三星電子預計將很快進行採購下單，並計劃於明年上半年建置 V10 NAND 量產線，試生產後下半年投入量產。
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編輯整理：Celine
