三星新 DRAM、NAND 技術進展順利，股價一年內有望恢復

為什麼重要

三星對於下一代 DRAM 和 NAND 快閃記憶體技術的開發進度顯示出信心，預示著記憶體市場將迎來技術創新，影響儲存解決方案的效能與成本。

背景故事

#技術發展、#小型化限制、#低溫結

• 三星正在開發的下一代 DRAM 和 NAND 快閃記憶體技術，關鍵在於實現更小的線寬和更高的容量密度。

• 為了克服小於 10 奈米 DRAM 的小型化限制，三星採用了新的結構（VCT）和基礎技術，包括「低溫結」和「鍵合」技術。

發生了什麼

#時間表順利、#垂直堆疊、#V10 目標

• 下一代 DRAM 和 NAND 快閃記憶體技術的開發正在按照今年的時間表順利進行。

• 10 奈米以下 DRAM 所需的基礎技術正在順利推進，包括採用垂直堆疊的方式儲存資料的單元。

• 對於下一代 NAND 快閃記憶體技術，三星預計下一代 NAND 產品 V10 將達到目標效能和進度。

接下來如何

#競爭力提升、#全球領先、#股價恢復

• 三星的下一代 DRAM 和 NAND 快閃記憶體技術的成功開發，預計將提升公司在儲存技術領域的競爭力。

• 新技術的實現，特別是在 DRAM 和 NAND 產品上的應用，將有助於三星在全球儲存市場中保持領先地位。

• 隨著技術的進步和產品的推出，三星股價有望在未來一年內恢復，符合 Song Jae-hyuk 的預期。

他們說什麼

• 三星電子裝置解決方案（DS）部門技術長 Song Jae-hyuk 表示：「只需一年即可恢復（公司股價）。」

• 關於下一代產品的開發，Song Jae-hyuk 說：「下一代 DRAM 和 NAND 快閃記憶體技術的開發正在按照今年的時間表順利進行。」

概念股

• DRAM

• 記憶體

參考資料

• 三星电子：下一代 DRAM和NAND闪存开发已步入正轨