三星電子加速 DRAM，NAND 投資佈局，力爭市場領導地位

為什麼重要

三星電子的投資計畫將加速半導體技術進步，對全球記憶體市場產生深遠影響。

背景故事

#第 7 代 DRAM、#NAND 發展、#工廠調派

• 三星電子先前宣佈計劃在 2026 年之前量產第 7 代 DRAM，作為其半導體產品線的下一步發展。

• 為了支援第 6 代 DRAM 的量產，三星從華城工廠調派相關人員至平澤工廠，目標是在明年 5 月之前獲得內部量產批准（PRA）。

• 三星電子正在平澤 P1 工廠安裝業界首條 400 層 NAND （V10）測試線，並在 P4 工廠安裝 286 層（V9）NAND 裝置，顯示其在 NAND 領域的發展努力。

發生了什麼

#第 7 代 DRAM 測試線、#第 6 代 DRAM 生產、#激進投資

• 三星電子計劃從今年第四季度開始在平澤 P2 工廠建設 10 奈米級第七代（1d）DRAM 測試線，預計明年第一季度全面建成，每月處理約 10,000 片晶圓。

• 同時，三星在 P4 工廠準備生產 10 奈米級第六代 DRAM，計劃從明年初開始引入半導體裝置。

• 三星電子的這一系列動作被視為「激進的投資」，旨在加快未來產品的開發速度，以明年為重新獲得儲存市場領導地位的開端年。

接下來如何

#量產計劃、#技術加速、#儲存解決方案

• 預計三星電子將在 2026 年之前量產第 7 代 DRAM，進一步加強其在全球半導體市場的競爭地位。

• 三星電子的這些投資和準備工作預計將加速其在儲存技術領域的發展，特別是在 DRAM 和 NAND 領域。

• 隨著新測試線和生產設施的建成，三星電子有望在未來幾年內推出更高效能和更先進的儲存解決方案。

他們說什麼

三星電子管理層表示，這些「激進的投資」是為了利用公司的人力資源和生產能力，加快未來產品的開發速度，目標是明年重新奪回儲存市場的領導地位。

概念股

• DRAM

• 人力資源

• 記憶體

參考資料

• 消息称三星电子明年Q1完成10纳米级第七代DRAM测试线