三星電子擬年底前投資平澤 P2 工廠，轉產尖端 DRAM
發佈時間：2024/09/16
為什麼重要
三星電子和 SK 海力士的技術進步將提升 DRAM 產業的競爭力，直接影響記憶體市場的供需和價格走勢。
這些投資和技術升級計畫將加速下一代 DRAM 的商業化程式，對於依賴高效能記憶體的電子產品製造商來說，意味著更強的產品效能和成本效益。
背景故事
#三星電子、#1z DRAM、#SK 海力士
三星電子平澤 P2 工廠自 2020 年下半年開始運營，主要生產 1z DRAM（第三代 10 奈米級 DRAM）。
SK 海力士於 2023 年 8 月底宣佈成功開發採用 1c 工藝的 16Gb DDR5 DRAM，顯示出在 DRAM 技術發展上的領先地位。
發生了什麼
#投資計劃、#1b DRAM、#下一代 DRAM
三星電子計劃在 2023 年底前制定對其平澤 P2 工廠 DRAM 生產線進行尖端 DRAM 轉換的投資計畫。
三星電子已完成了 1b DRAM 的內部品質測試，並開始建設量產 1b DRAM 的設施，預計到 2024 年初產能將達每月 10 萬片。
三星電子還計劃投資「下一代 DRAM」，包括將 P2 工廠部分 1z DRAM 轉換為 1b DRAM，剩餘部分轉換為 1c（第 6 代）或 1d（第 7 代）DRAM。
接下來如何
#生產線配置、#裝置投資、#量產計劃
P2 轉換投資的生產線配置設計預計將在 2023 年第四季度完成，相關設施的訂單將於 2024 年下達。
三星電子的 P2 工廠裝置投資轉換計畫可能會根據最先進 DRAM 的開發情況而有所變化。
三星電子已經制定了年內量產 1c DRAM 的計畫，並準備在下半年建設第一條生產線。
他們說什麼
三星電子未提供具體的管理層評論或說法。
SK 海力士透過其發布的新聞稿表示，其在 1c 工藝上進行了設計技術革新，與前一代 1b 工藝相比，生產率提高了 30% 以上，顯示出其在 DRAM 技術發展上的領先地位。
概念股
參考資料
編輯整理：Ethan Chen
