三星 1c DRAM 良率提升至 70％

為什麼重要

• 三星的 1c DRAM 技術進展將直接提升下一代記憶體業務的競爭力，對半導體產業有深遠影響。

• 透過同步開發 DDR 與 LPDDR 策略，加速商業化程式，將促進記憶體市場的創新與產品多樣性。

背景故事

#1c DRAM、#產線

• 三星電子採取「設計變更」戰略，目的是提升第六代 10 奈米級 DRAM（1c DRAM）的生產效率與良率。

• 三星在韓國華城工廠建設 1c DRAM 產線，並在平澤第四園區（P4）建設第一條量產線，每月產能達 3 萬片。

發生了什麼

#效能測試、#量產計劃

• 三星的 1c DRAM 在 5 月的效能測試中取得進展，冷態環境下良率約 50％，熱態條件下良率達 60％～70％。

• 1c DRAM 計劃於今年下半年量產，並將搭載在 HBM4 上，對下一代記憶體業務具重大意義。

• 三星計劃在今年年中取得 LPDDR 用 1c DRAM 的內部量產批准（PRA），並在第三季取得針對 HBM 重新設計的 DDR 的內部量產批准（PRA）。

接下來如何

• 預計三星電子的 1c DRAM 生產線建設最早將於今年底完成，進一步提升公司在高階 DRAM 市場的競爭力。

• 三星的 1c DRAM 量產，將加快下一代記憶體技術的商業化程式，尤其是在 HBM4 應用方面。

• 隨著 1c DRAM 的量產與應用，預期將推動記憶體市場向更高效能與更低功耗方向發展。

他們說什麼

• 「透過設計變更戰略，我們在 1c DRAM 的效能測試中取得了顯著進展。」三星電子高層表示。

• 「同步開發 DDR 與 LPDDR，不僅加快了 1c DRAM 的商業化程式，也為我們在記憶體市場的領先地位奠定了基礎。」三星電子技術團隊成員說明。

概念股

• DRAM

• 記憶體

參考資料

• “设计变更”战略奏效，消息称三星1c DRAM良率提升至70%