三星記憶體技術大躍進，引領產業創新
發佈時間：2024/04/15
為什麼重要
三星技術進步將提升記憶體產品的性能與效率，直接影響智慧手機、電腦及伺服器市場，對相關產業的競爭格局和投資回報有顯著影響。
背景故事
三星一直在 NAND 晶片和 DRAM 產品的研發和生產上佔據領先地位，不斷推動記憶體技術的進步。
發生了什麼
三星宣布將於本月開始批量生產 290 層 V9 NAND 晶片，並計劃於明年推出 430 層 NAND 晶片。
公司公布了 DRAM 量產藍圖，預計於 2024 年底前量產採用極紫外光（EUV）技術製造的 10nm 第六代 DRAM。
三星進一步計劃於 2025 年推出採用垂直通道電晶體（VCT）技術的 3D DRAM 初期版本，並於 2030 年推出「堆疊式 DRAM」。
接下來如何
三星的這些技術進步預計將進一步鞏固其在全球記憶體市場的領導地位，特別是在高端市場的競爭中。
這些創新技術的推出將使三星能夠滿足未來數據中心和高性能計算應用對於更高效能和更大容量記憶體的需求。
隨著這些產品的量產和推廣，預計將促進記憶體技術的整體進步，並可能影響記憶體產品的價格和供應鏈動態。
他們說什麼
三星半導體事業部高級經理表示，這些技術進步是公司長期研發戰略的成果，將使三星在記憶體市場中保持領先。
一位市場分析師指出，三星的這些技術創新將對競爭對手構成壓力，迫使整個行業加快技術創新的步伐。
概念股
參考資料
編輯整理：黃沛琪
