三星電子引領 3D DRAM 技術進展
發佈時間：2024/05/21
為什麼重要
三星電子在 3D DRAM 技術上的進展將直接提升其在全球記憶體市場的競爭力，影響其他半導體製造商如 SK 海力士和美光的市場策略。
此技術發展有望推動記憶體產品的性能提升和成本降低，對於依賴高效能記憶體的消費電子、伺服器和數據中心等產業造成正面影響。
背景故事
李石宇，曾在美國美光負責下一代記憶體研究，去年加入三星電子。
三星電子執行副總裁 Siwoo Lee 在國際記憶體研討會（IMW）2024 上表示，目前 3D DRAM 處於可行性驗證階段。
發生了什麼
三星電子成功將下一代儲存半導體 3D DRAM 堆疊到 16 層。
3D DRAM 採用垂直堆疊單元陣列電晶體（VS-CAT）技術，旨在提升下一代 DRAM 市場的技術差距。
三星電子探討了 3D DRAM 的背面供電（BSPDN）應用，預計將用於 2 奈米以下的尖端非儲存製程。
接下來如何
三星電子計畫在 2025 年推出 VCT 形式的 3D DRAM 樣品。
VS-CAT 和 VCT 技術的成功開發預計將提升三星電子在全球記憶體市場的競爭力。
3D DRAM 的技術進步將促進記憶體產業的創新，可能引領新一代的記憶體技術標準。
他們說什麼
三星電子執行副總裁 Siwoo Lee 表示，3D DRAM 的 VS-CAT 技術能夠減少電流干擾，並允許放入更多的單元，展現了對技術進步的信心。
產業相關人士指出，3D DRAM 需要透過晶圓對晶圓（W2W）形式的混合鍵合來解決面積過大的問題，強調了技術挑戰與解決方案的重要性。
概念股
編輯整理：Ryan Chen
