Lam Research 推出第三代低溫蝕刻技術，提升 NAND 製造效率

為什麼重要

• Lam Cryo 3.0 的推出將直接提升 3D NAND 製造效率和環境可持續性，對半導體和記憶體產業的技術進步和成本效益產生深遠影響。

背景故事

#半導體製造技術、#NAND 記憶體、#低溫電介質蝕刻

• Lam Research 長期致力於半導體製造技術的創新，尤其專注於提升 NAND 記憶體的製造效率與環境可持續性。

• 3D NAND 技術的發展需求推動了對更精確、低能耗製程技術的探索，以應對日益增長的資料儲存需求。

發生了什麼

#Lam Cryo 3.0、#高功率等離子反應器、#能耗降低

• Lam Research 於 2024 年 8 月 1 日宣佈推出第三代低溫電介質蝕刻技術 Lam Cryo™ 3.0，專為 NAND 通道孔蝕刻設計。

• Lam Cryo 3.0 透過高功率限制等離子反應器和工藝改進，實現關鍵尺寸偏差小於 0.1%，並能蝕刻至最大 10 微米深度。

• 該技術能在蝕刻過程中將每片晶圓的能耗降低 40%，並將碳排放量減少高達 90%，同時提高蝕刻速率至傳統工藝的 2.5 倍。

接下來如何

#3D NAND 製造、#環境友好、#技術創新

• Lam Cryo 3.0 的推出將使 3D NAND 製造商能夠以更低的成本和更高的效率生產更先進的記憶體產品。

• 該技術的環境友好特性預計將促進半導體產業向更可持續的製造過程轉型。

• Lam Research 預期 Lam Cryo 3.0 將成為未來 3D NAND 生產的關鍵技術，並尋求進一步的技術創新以保持行業領先地位。

他們說什麼

• Lam Research 的全球產品事業部高階副總裁 Seshasayee Varadarajan 表示，Lam Cryo 3.0 在減少環境影響的同時，實現了比傳統電介質工藝高 2.5 倍的蝕刻速率，並能以「埃」級精度一致地實現高長寬位元徵。

• Lam Research 指出，目前已有 500 萬片晶圓採用 Lam 低溫蝕刻技術製造，證明瞭其技術的有效性與市場接受度。

提到的股票

• LRCX 科林研發

概念股

• 半導體設備

• 薄膜沈積

• 蝕刻

• 晶圓清洗設備

參考資料

• 램리서치, 극저온 식각 장비 'Lam Cryo 3.0' 출시
• Lam Research推出低温蚀刻新技术，为1000层3D NAND铺平道路
• 科林研發 (LRCX) 2024 Q4 法說會逐字稿