三星電子預計 2026 年 10 月正式投產 V10 NAND
2026 年 3 月引入設備、上半年完成產線搭建
據韓媒報導，三星電子計劃自 2026 年 3 月起啟動 V10 NAND 快閃記憶體的生產線建設，並於當年 10 月開始正式量產。據規劃，V10 生產線將於 3 月引進核心設備，並於上半年內完成產線搭建。經過試產與穩定性測試後，預計將於 10 月正式進入商業化量產階段，相關投資計劃則預定於今年下半年正式啟動。
這是三星首次對外明確披露 V10 NAND 的量產時程。先前市場一度預測三星將於 2025 年量產 V10，但如今確定商業化應用時間點定於 2026 年。
V10 NAND 堆疊達 430 層 儲存密度、傳輸速度大躍進
V10 NAND 被視為 V9 的下一代產品，層數由目前量產中的 286 層進一步提升至 430 層以上。為實現更高容量與密度，三星將導入多項新技術，包括首次採用極低溫（-70℃以下）蝕刻技術（用於製作垂直通孔，實現更高效的資料傳輸）、評估科林研發（Lam Research）與東京威力科創（TEL）等供應商的設備應用，以及導入晶圓對晶圓（Wafer-to-Wafer, W2W）鍵合技術，將儲存單元與驅動電路分別製作後再封裝整合，與傳統單晶圓製程有所區別。
根據三星在國際固態電路會議（ISSCC）公開的規格，V10 NAND 在 TLC 模式下的儲存密度可達 28Gb/mm²，較前一代 V9 提升 56％。傳輸速度方面，I/O 速度達 5.6GT/s，增幅高達 75％。
這些性能提升將使 V10 NAND 特別適用於高階數據中心需求，未來可與預計於 2026 年商用的 PCIe Gen6 主控晶片協同應用，進一步強化三星在企業級 SSD（eSSD）市場的競爭力。
V10 預計應用於數據中心 eSSD P5 廠區復工加速 總投資逾 30 兆韓元
三星方面表示，將優先採用 V10 開發用於數據中心的 eSSD 產品。對於相關投資進度與生產細節，三星電子內部人士表示：「正依據內部計畫推進，但具體細節尚無法對外確認。」
另據韓媒報導，三星正在加快平澤 P5 廠區的復工計畫。部分工程人員已進駐工地進行材料清理，重型設備預計最快將於今年 10 月全面進場施工。據悉，三星高層正就 P5 廠的投資與產能規劃進行密集討論。
平澤 P5 為三星 DS（Device Solutions）部門在當地建設的第五座半導體工廠，規模龐大，長約 650 公尺、寬約 195 公尺。該廠定位為綜合型晶圓製造基地，將同時配置 DRAM、NAND 快閃記憶體及晶圓代工產線，預估總投資金額將超過 30 兆韓元。
三星 V10 顯著提升 I/O 速度，鎖定高階數據中心市場，為未來 AI/ 伺服器、HPC 專案預作佈局；相較之下，美光（Micron）與 SK 海力士多數產品仍集中於中階或消費性市場。只不過，V10 以「技術躍進」換取市場領先地位，但高度堆疊與創新製程的挑戰也提高了良率風險，其未來發展如何，值得投資人持續關注下去。
