三星成立專門工作小組提高 1b DRAM 良率,有望擴大產能
發佈時間:2024/06/12
為什麼重要
三星提高 1b DRAM 良率及產能將降低記憶體模組製造成本,減少功耗,對伺服器、大型計算機及消費電子產品製造商意味著成本效益提升和能源效率增加。
產能擴大反映在供應鏈穩定性增強,有助於滿足全球對高效能記憶體的需求,對於投資於記憶體及相關技術領域的投資人來說,是正面的發展。
背景故事
三星於去年 5 月宣布第五代 10nm 級(1b)制程的 16Gb DDR5 開始量產。
於去年 9 月,三星宣布成功開發出第五代 10nm 級(1b)制程的 32Gb DDR5。
平泽 P2 晶圓廠目前主要生產第三代 10nm 級(1z)制程 DRAM,未來將進行制程技術的升級。
發生了什麼
三星電子存儲部門於上個月成立專門工作小組,旨在提高第五代 10nm 級(1b)制程 DRAM 的良率及產能。
三星計劃將 32Gb 1b DRAM 作為其主要產品,因為該產品可以在不需要 TSV(通過矽電極)工藝的情況下製造 128GB 模組。
三星已完成 32Gb 1b DRAM 的質量測試,並一直在為全面量產做準備。
接下來如何
三星決定積極擴大 1b DRAM 的生產,計劃從今年上半年的每月 4 萬張增加到第三季度的 7 萬張,然後第四季度達到 10 萬張。
三星計劃明年將 1b DRAM 的產能擴大到每月 20 萬張。
三星 1b DRAM 的主要生產基地預計將是平泽 P2 和華城 15 號線。
他們說什麼
目前未提供相關人士的評論或說法。
概念股
參考資料
編輯整理:Ryan Chen