SK 海力士加速開發下一代 GaN 電力半導體

為什麼重要

SK 海力士完成下一代電力半導體氮化鎵（GaN）元件特性開發，將直接提升無晶圓廠客戶在高速充電器、LED 照明、數據中心等領域的產品競爭力，並可能降低相關產品的系統成本。

背景故事

SK 海力士自 2022 年起，針對氮化鎵（GaN）電力半導體的市場潛力和開發進行研究，正式組建專門團隊。

發生了什麼

• SK 海力士宣布將於 2023 年內完成下一代電力半導體氮化鎵（GaN）的主要元件特性開發。

• 該公司最近確保了 650V GaN HEMT 元件的特性，展示了其在高電力效率方面的優勢。

接下來如何

• SK 海力士計劃基於 650V GaN HEMT，構建從各種電壓的 GaN HEMT 到 GaN IC 的全面 GaN 產品組合，以滿足市場對高效能電力半導體的需求。

• 該公司將結合其在高壓 BCD 技術的優勢，準備擴展到 SiC 技術，旨在成為電力半導體專業的代工廠。

他們說什麼

• SK 海力士的代表 Derek Lee 表示，公司致力於結合高壓 BCD 技術和氮化鎵（GaN）技術，準備下一代電力半導體，未來還將擴展到碳化矽（SiC），旨在成為電力半導體專業的代工廠。

• 無晶圓廠客戶對 650V GaN HEMT 的優勢表示肯定，認為其將有利於開發高端產品，如高速充電器、LED 照明、數據中心和 ESS、太陽能微型逆變器等。

概念股

• LED

• 電力

• 氮化鎵

• 碳化矽

參考資料

• SK키파운드리, 차세대 전력 반도체 'GaN' 개발 박차