AI 記憶體需求爆發推升高層數競賽！三星布局千層 NAND，2030 年目標突破 560 層
AI 與資料中心需求升溫 大容量 SSD 成為下波成長動能
隨著人工智慧（AI）運算需求快速擴張，大型資料中心、雲端服務與高效能運算（HPC）對儲存容量的需求持續攀升，帶動固態硬碟（SSD）朝向更大容量、更高密度與更低成本方向發展。3D NAND 快閃記憶體的堆疊層數競賽也因此加速升溫，成為各大記憶體廠爭奪下一代儲存市場的重要戰場。
在 3D NAND 技術中，堆疊層數是提升儲存密度與單顆晶片容量的關鍵。相較於傳統平面式 NAND，更高的堆疊結構能在不增加晶片面積下，大幅提高容量，以滿足 AI 資料中心、雲端儲存以及高階消費電子產品對大容量儲存的需求。
三星規劃超高層 NAND 路線圖 2030 年挑戰 560 層以上
根據外媒報導，三星電子（Samsung Electronics，005930.KS）近期揭露最新 NAND 發展藍圖，將持續推進超高層堆疊技術，2029 年完成 420 層 NAND 解決方案，2030 年推出超過 560 層的高密度 NAND；下一個十年初期，進一步實現技術跨越，將堆疊層數提升至超過 1,000 層。
此一規劃顯示，三星正加速布局未來 AI 時代所需的大容量儲存基礎，並持續鞏固其在 NAND 快閃記憶體市場的領先地位。
CMB 技術助攻千層堆疊 32TB SSD 容量可望成真
除了既定路線圖外，三星也展示 900 層至 1,000 層 NAND 技術方案。該方案採用 Cell Multi Bonding（CMB，單元多鍵合）技術，將兩組 450 層 NAND 結構整合於同一封裝中，以實現接近千層的堆疊效果。
業界人士推估，在此技術支援下，原本容量約 8TB 的 QLC 固態硬碟，未來有機會擴充至 32TB，大幅提升單顆 SSD 的儲存密度與成本效益，有助滿足 AI 叢集、大型資料中心以及企業級儲存市場需求。
晶圓翹曲與對位誤差成挑戰 三星導入新技術提升良率
不過，超高層數 NAND 的量產難度也同步提高。隨著堆疊層數持續增加，晶圓翹曲（Wafer Warpage）、層間對位誤差（Overlay Error）等問題將更加嚴重，容易導致晶片良率下降及穩定性不足。
為了克服相關瓶頸，三星計劃導入多項先進製程技術，包括可以透過精準控制晶圓形變，降低超高層堆疊所造成的晶圓翹曲現象，提高製程平整度與生產品質的「上卡盤設計」（Upper Chuck Design），還有修正多層堆疊過程中的層間偏移問題，提升超高層數 NAND 晶片良率與可靠性的「疊對校正技術」（Overlay Correction）
AI 時代推升儲存密度革命 千層 NAND 成下一個技術里程碑
隨著 AI 模型規模持續擴大、資料量快速成長，高容量 SSD 已成為資料中心與 AI 基礎建設不可或缺的一環。業界預期，高層數 3D NAND 技術將成為未來十年的核心發展方向。
三星積極推動千層 NAND 技術，意味著儲存產業正從「百層時代」邁向「千層時代」，未來單顆 SSD 容量可望出現數倍提升，為 AI、大數據及雲端運算帶來更高效的儲存解決方案，也將進一步推升全球記憶體產業新一輪技術競賽。
