SK 海力士量產全球首款 321 層 QLC NAND，進軍 AI 資料中心
發佈時間：2025/08/25
SK 海力士宣布，已成功開發並開始量產全球首款 321 層 2Tb（太比特，Terabit） QLC NAND 快閃記憶體，成為業界首家突破 300 層大關的公司。該產品擁有現有 NAND 產品中最高的集成度，並計劃在經過主要客戶驗證後，於明年上半年正式進入 AI 資料中心市場。
容量翻倍至 2Tb 成本競爭力提升
此次 321 層 QLC NAND 的容量比現有產品翻倍，將成本效益最大化。一般而言，NAND 容量越大，單元存儲的資訊越多，但記憶體管理更複雜，處理速度也會下降。為了解決此問題，SK 海力士將內部可獨立運行的平面（Plane）架構由四平面擴展至六平面，大幅提升並行處理能力，減緩因為大容量導致的性能衰減。
傳輸速度倍增 效能大幅躍升
該產品不僅容量更高，效能也全面提升。與現有 QLC 產品相比，數據傳輸速度提高一倍，寫入性能最多提升 56％，讀取性能提升 18％，同時數據寫入能效提升超過 23％。在對低功耗有嚴格需求的 AI 資料中心等應用場景，該產品展現更強競爭力。
將導入 SSD、eSSD 與 UFS 應用拓展至 AI 伺服器
SK 海力士計劃首先將 321 層 NAND 導入電腦端固態硬碟（PC SSD），後續逐步擴展至企業級固態硬碟（eSSD）及智慧型手機的嵌入式存儲（UFS）。同時，憑藉自家 32 晶片堆疊（32DP, 32 Die Package）封裝技術，將實現比現有產品高一倍的集成度，正式切入面向 AI 伺服器的超高容量 eSSD 市場。
進軍「全方位 AI 記憶體供應商」 迎戰資料中心高成長需求
SK 海力士 NAND 開發副社長鄭羽杓表示：「隨著此次產品量產，我們大幅強化了高容量存儲的產品組合，並確保了成本競爭力。面對迅速增長的 AI 與資料中心市場需求，SK 海力士將以『全方位 AI 記憶體供應商（Full Stack AI Memory Provider）』的定位，實現更大的飛躍。」
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編輯整理：Celine
