三星電子新產品將深遠影響半導體市場,特別是 AI 領域
發佈時間:2024/01/15
為什麼重要
三星電子的新產品,包括 32Gb DDR5 DRAM、HBM3E DRAM 「Shinebolt」、CMM-D 內存模塊等,將對半導體市場產生深遠影響,尤其是伺服器、PC 圖形、移動、汽車、生活方式等應用領域,這些新產品將提供更高的性能和容量,以滿足這些領域對於高效能和大容量的需求。
這些新產品對於生成式 AI 和 edge 端 AI 的發展將起到關鍵作用,特別是CMM-D 產品,它將大幅增加每台伺服器的內存容量,對於需要快速處理大量數據的生成式人工智能平台將發揮關鍵作用。
背景故事
三星電子於 2023 年 9 月首次開發出單晶片容量最大的 32Gb DDR5 DRAM。
三星電子的 HBM3E DRAM 「Shine Bolt」 與現有 HBM3 產品相比,性能和容量提升了 50% 以上。
發生了什麼
在 CES 2024 展會中,三星電子展示了半導體虛擬工廠以及伺服器、PC 圖形、移動、汽車、生活方式五個應用領域的體驗區。
三星電子特別展示了用於生成式 AI、edge 端 AI 的 DRAM 產品、下一代 NAND 閃存解決方案、2.5 / 3D 封裝技術等大量下一代存儲產品。
接下來如何
三星電子的 CMM-D 產品有望在需要快速處理大量數據的生成式人工智能平台的應用中發揮關鍵作用。
三星電子的 NAND 解決方案包括 PM9D3a 以及 PB SSD(Petabyte Scale SSD)。
他們說什麼
三星電子表示,32Gb DDR5 DRAM 是一款適用於伺服器的高容量產品系列,能夠在同一封裝中配置 128GB 大容量模塊,無需 TSV 技術。
三星電子指出,CMM-D 可以在伺服器前端(安裝現有 SSD 的位置)安裝多個該產品,從而大幅增加每台伺服器的內存容量。
概念股
編輯整理:Ethan Chen