三星新推出 HBM3E 12H DRAM，將影響半導體產業

為什麼重要

三星新推出的 HBM3E 12H DRAM 將對半導體產業產生深遠影響。其帶寬和容量的大幅提升，將有助於提升人工智能訓練的效率，並能支援更多的人工智能推理服務用戶，進一步推動人工智能技術的發展。

背景故事

三星電子一直在努力提升其 HBM 產品的性能，並且尋求解決晶片堆疊帶來的問題。

發生了什麼

• 三星電子發布了首款 12 層堆疊 HBM3E DRAM — HBM3E 12H，這是三星目前最大容量的 HBM 產品。

• HBM3E 12H 支持全天候最高帶寬達 1280GB/s，產品容量達到 36GB，相較於三星 8 層堆疊的 HBM3 8H，在帶寬和容量上提升超過 50%。

• HBM3E 12H 採用先進的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使 12 層和 8 層堆疊產品的高度保持一致。

• 這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處，因為行業正在尋找緩解薄片帶來的晶片彎曲問題。

接下來如何

• 搭載 HBM3E 12H 的人工智慧應用後，預計人工智慧訓練平均速度可提升 34%，人工智慧推理服務用戶數量也可增加超過 11.5 倍。

• 三星已開始向客戶提供 HBM3E 12H 樣品，預計於今年下半年開始大規模量產。

提到的股票

• 5007 三星

概念股

• DRAM

• 機械

• HBM

參考資料

• 三星发布首款36GB HBM3E 12H DRAM，预计下半年大规模量产