華為搶進 AI 記憶體市場，自研 DoB 封裝技術亮相、122TB 企業級 SSD 已量產
中國科技大廠華為近日正式展示自主研發的 Die-on-Board（DoB，板上裸片封裝）技術，並同步推出多款超大容量企業級固態硬碟（SSD），正式搶進 AI 資料中心與高密度記憶體市場。
華為目前已完成 61.44TB 與 122.88TB 兩款企業級 SSD 量產，並規劃未來在單一 2U 機架空間內，提供最高達 4.42PB（Petabyte）的原始記憶體容量，後續更將推出 245TB 等級產品。
市場認為，在 AI 模型訓練、雲端資料中心與大型儲存需求快速擴張下，高容量、高密度 SSD 正成為下一波儲存產業競爭焦點，而華為此次推出的 DoB 技術，也被視為挑戰傳統 SSD 封裝架構的重要突破。
傳統 SSD 堆疊受限 華為 DoB 改採裸片直焊架構
目前主流 SSD 廠商多採用「先封裝、後焊接」模式，也就是先將 NAND Flash 裸晶放入 TSOP（薄型小尺寸封裝）或 BGA（球柵陣列封裝）中完成封裝與堆疊，再焊接至 PCB 主板。
不過，受限於封裝體本身的物理尺寸與厚度，現行主流工藝大多僅能實現最高 16 層 NAND 裸片堆疊，進一步限制 SSD 容量密度提升。
華為此次推出的 DoB 技術，則完全跳過 NAND 晶片的獨立封裝流程，直接將未封裝的 NAND 裸片焊接於 SSD PCB 基板之上，藉此突破傳統封裝空間限制。
根據華為說明，DoB 技術可將裸片堆疊層數提升至最高 36 層，在不依賴更高層數 3D NAND 晶片的前提下，單位空間容量密度可提升約 33%。
AI 資料中心需求爆發 PB 級儲存成新戰場
隨著生成式 AI、大型語言模型（LLM）與高效能運算（HPC）快速發展，全球資料中心對高容量、高密度儲存需求持續攀升。
業界指出，相較傳統企業儲存應用，AI 訓練與推論環境需要更大量的高速資料讀寫與儲存空間，使 PB 級儲存系統逐漸成為大型雲端服務供應商與 AI 基礎建設的重要配置。
華為此次規劃在 2U 機架內提供最高 4.42PB 容量，也代表單一伺服器機櫃即可支援超大型 AI 資料集與企業級備援需求，大幅提升資料中心空間利用效率。
裸片直焊帶來散熱挑戰 華為稱已完成技術突破
不過，DoB 技術雖大幅提升容量密度，也同步帶來更高工程難度。
由於 NAND 裸片直接堆疊並焊接於 PCB 基板上，在高密度設計下，散熱管理、訊號完整性與可靠度控制都比傳統封裝更具挑戰。
華為表示，公司已針對散熱控制與高速訊號傳輸完成專項技術攻關，目前相關產品已成功導入量產，並具備大規模商用能力。
市場分析指出，若 DoB 技術後續能穩定量產並提升良率，未來不排除進一步改變企業級 SSD 封裝架構，並對高容量記憶體市場帶來新一波競爭。
