SK 海力士攜手輝達與 OpenAI 推「新型記憶體解方」助攻 AI 推論效率
SK 海力士（SK hynix）執行長郭魯正（곽노정）於「SK AI Summit」主題演講中表示，未來的「新型記憶體解方（New Memory Solution）」將讓記憶體的角色更多元，解決 AI 推論的效能瓶頸。
郭魯正指出：「過去記憶體整合以運算為中心，未來的新型解方將擴展記憶體功能，從根本上改善 AI 運算瓶頸。」他並提到，新架構將包含客製化高頻寬記憶體（HBM）、AI-D、AI-N 等系列產品。
客製化 HBM：將 GPU 功能轉移至 HBM 基底晶片
郭魯正說，隨著 AI 市場由「通用性」轉向「效率與總擁有成本（TCO）最佳化」，HBM 產品線正從標準型擴展至客製化型。
所謂「客製化 HBM」是依據客戶需求，將部分 GPU 運算功能整合至 HBM 基底晶片，藉此提升 GPU 與 ASIC 的運算效能，同時降低 GPU-HBM 間的功耗，進一步提高整體 TCO 效率。
SK 海力士將針對 AI 時代重新定義 DRAM，推出代號為 AI-D 的新系列記憶體，細分為 O（Optimization）、B（Breakthrough）與 E（Expansion）三大方向。
AI-D O（Optimization）：以 TCO 與能源效率為核心，提供低功耗、高效能的新規格。代表產品包括MRDIMM（多階緩衝記憶體模組）、SOCAMM2（可拆式 AI 伺服器記憶體模組）與 LPDDR5R。
AI-D B（Breakthrough）：主攻「突破記憶體牆」的超高容量記憶體，開發中產品包含CMM（Compute Memory Module，CXL 架構）與 PIM（Processing-In-Memory）。
AI-D E（Expansion）：延伸應用至機器人、車用、工業自動化等新領域，為高可靠度的高階 DRAM 產品。
AI-N：三大新型 NAND 解決方案
在 NAND 部分，SK 海力士提出 AI-N 策略，分為 P（Performance）、B（Bandwidth）與 D（Density）三項重點。
AI-N P（Performance）：主打高速資料輸入輸出，採用小單位資料區塊（Chunk）設計，大幅提升 AI 推論環境的 I/ O 效率，預計明年底推出樣品。
AI-N B（Bandwidth）：結合 HBM 堆疊結構與 NAND 的高容量、低成本特性，形成 **「高頻寬 NAND 快閃記憶體（HBF）」**，以補足 HBM 容量限制。
AI-N D（Density）：採用 QLC 技術開發超高容量 SSD，容量從 TB 級提升至 PB 級，目標打造兼具 SSD 速度與 HDD 成本效益的中階儲存產品。
攜手輝達、OpenAI 與全球夥伴共創 AI 生態
郭魯正強調，AI 時代的競爭關鍵在於合作，而非單打獨鬥，「能與客戶與夥伴共同創新、打造更佳產品的公司將脫穎而出。」
他指出，SK 海力士正與輝達（NVIDIA）在 HBM 與 AI 製造創新技術上合作，並共同探索 Omniverse 數位分身應用；同時也與 OpenAI 洽談高效能記憶體長期合作計畫。
此外，SK 海力士與施耐德電氣（Schneider Electric）合作推動 HBF 國際標準化，並與 Naver Cloud 共同開發資料中心記憶體軟體優化方案。
