AMAT 引入銠材料，突破 2 奈米製程限制
為什麼重要
Applied Materials 引入銠作為襯底材料，開發下一代銅導線技術，將直接提升半導體製程效率，降低能耗，對於追求更高計算效能與能效的半導體產業及其客戶（如三星電子和臺積電）具有顯著影響。
新技術能在相同空間內增加更多銅導線，進而降低能耗 25%，對於需要高能效計算的 AI 時代，這項創新將加速半導體行業向奧氏體節點進展，對於提升處理速度和降低電阻具有關鍵作用。
背景故事
#半導體創新、#2 奈米挑戰、#銅導線限制
Applied Materials 長期致力於半導體製程技術的創新，尋求突破小型化和能效提升的限制。
半導體行業面臨 2 奈米製程技術的挑戰，需要新材料和技術來克服電阻和電容增加的問題。
發生了什麼
#銠襯底材料、#黑鑽石系列、#記者會發布
AMAT 在半導體製程中首次引入銠（Ru）作為襯底材料，開發下一代銅導線技術，解決 2 奈米製程的限制。
該技術結合使用鈷（Co），是 AMAT「黑鑽石」產品系列中的最新模型，旨在降低介電常數，減少電氣幹擾和能耗。
AMAT 在首爾舉辦記者會，介紹這項創新技術，並宣佈「Endura Copper Barrier Seed IMS」裝置已開始出貨 3 奈米產品。
接下來如何
#微縮技術、#行業採納、#AI 需求
AMAT 的新技術和產品預計將推動半導體行業進一步微縮銅導線至奧氏體節點，提升晶片的能效和處理速度。
全球半導體製造巨頭如三星電子和台積電已開始採用這項技術，預期將促進更廣泛的行業採納。
隨著 AI 和高效能運算需求的增加，這項技術的成功應用將為半導體行業帶來重大變革，推動未來技術的發展。
他們說什麼
AMAT 半導體產品組總裁 Prabu Raja 表示，AI 時代需要高能效計算，銅導線和層疊技術非常關鍵，新產品將幫助半導體行業將低阻抗銅導線微縮至奧氏體節點。
三星電子 Foundry 開發團隊高階經理金善正表示，面對電阻、電容和可靠性等挑戰，三星採用了最新技術。
TSMC 高階副總裁兼共同營運長 Wei Zhe 表示，為了 AI 計算，半導體行業需要持續提高能效，降低晶片內部電阻的新材料將在半導體產業中發揮重要作用。
