三星電子推 2nm 工藝，BSPDN 技術提升效能降低功耗
為什麼重要
三星電子和 SK 海力士在中國市場的銷售顯著增長，反映出中國對半導體及相關電子產品需求的強勁增長，直接影響這些公司的營收和市場佔有率。
三星電子推進的 2 奈米技術和 GAA 電晶體結構，將提升半導體效能並降低功耗，對於消費電子、資料中心和 AI 應用領域的技術進步具有重大意義。
故事背景
中國經濟刺激措施和 AI 半導體需求的增加，為韓國半導體企業提供了業務擴張的機會。
三星電子持續在半導體製程技術上創新，從 FinFET 結構轉向 GAA 結構，以提升電晶體效能和電力效率。
發生了什麼
#2nm 工藝、#BSPDN 技術、#效能改進
三星電子宣佈，將從 2027 年開始向客戶提供應用後面電力供應（BSPDN）技術的 2nm 工藝（SF2Z），預計可將晶片面積減少約 17%。
三星電子高階經理李成在「Siemens EDA 論壇」上表示，BSPDN 技術相比前面電力供應（FSPDN）結構，在效能上提升了 8%，在功耗上降低了 15%。
三星電子公開了預計在 2026 年推出的第二代 2nm 工藝（SF2P）的效能改進資料，包括效能提升 12%，功耗降低 25%，面積減少 8%。
接下來如何
#全球領先、#技術轉型、#競爭格局
三星電子的 2nm 工藝技術預計將進一步鞏固其在全球半導體市場的領先地位，特別是在高效能運算和 AI 應用領域。
BSPDN 技術的成功應用可能會推動整個半導體行業向更高效、低功耗的製程技術轉型。
隨著三星電子和其他半導體製造商持續推進技術創新，全球半導體產業的競爭格局可能會發生變化，尤其是在先進製程技術領域。
他們說什麼
三星電子高階經理李成表示，透過將電力傳輸從前面移到後面，BSPDN 技術可以創新地改善電壓降等問題，從而提升效能並降低功耗。
分析師認為，三星電子在 2nm 工藝技術上的進展，尤其是應用 BSPDN 技術，將使其在與 TSMC 和 Intel 等競爭對手的競爭中處於有利位置。
