SK 海力士全球首發 6 代 DRAM 技術,提升生產效能
發佈時間:2024/08/29
為什麼重要
SK 海力士開發的 10 奈米級 6 代(1c)D램技術,將直接提升記憶體產品的效能與能效,對於資料中心、高效能運算及消費電子產品市場造成顯著影響。
該技術的成功開發與計畫於 2024 年開始供貨,預示著 SK하이닉스 在全球記憶體市場的競爭地位將進一步加強,影響相關供應鏈及競爭對手的策略調整。
背景故事
#第六代 DRAM 技術、#EUV 製程、#生產力提升
基於現有的第 5 代 (10 奈米 1b) DRAM 技術,SK 海力士正在開發第 6 代 (1c) DRAM 技術。
該公司一直奉行開發新材料並將其應用於極紫外線 (EUV) 特定製程的策略,並透過製程優化確保成本競爭力。
SK 海力士透過科技創新提高生產力和電力效率。
發生了什麼
#全球首創、#提高生產力、#準備量產
SK 海力士於 8 月 29 日宣布開發出世界上第一個 10 奈米級第六代 (1c) DRAM 技術。
該技術相較現有的第五代 (1b),生產效率提高超過 30%,操作速度提升 11%,電力效率改善超過 9%。
接下來如何
#전력 비용 절감、#차세대 제품군、#시장 점유율 확대
SK 海力士擁有 1c DRAM 技術提供給資料中心等客戶,預計可將電力成本降低最多 30%。
這項技術將應用於下一代 HBM、LPDDR、GDDR7 等最先進的 DRAM 主力產品群。
SK 海力士的此次技術開發,預計將增強在 DRAM 市場的競爭力並擴大市場份額。
他們說什麼
SK 海力士副總裁 Jonghwan Kim,1c 技術將應用於下一代 HBM、LPDDR、GDDR7 等最先進的 DRAM 主力產品群。
概念股
參考資料
編輯整理:Maggie Wei