應用材料季報解析：長鑫存儲被禁機率高，但無礙 24 年成長
前言
又來到台股美股提款機單元，在這個單元中，我們將透過產業角度，介紹台股供應鏈高連動的美股巨頭，讓你認識更多值得關注的美股標的。
半導體設備五巨頭之一：應用材料 (AMAT) 在 2/16 公布了最新一季營運報告。今天我們要來檢視報告中釋出的相關訊息。新聽眾或許對這間公司感到陌生，我們先簡單介紹一下應用材料的背景：
公司在美股 Nasdaq 上市，代號為 AMAT
應用材料設備業務多樣，薄膜沉積、蝕刻、研磨、離子植入、檢測等都有一定市佔規模，在整體半導體設備產業市占率約 20%，排名第一
應用材料目前市值約 1708 億美元，美股第 59 名，放在台股則僅次於台積電
綜合以上可知，應用材料是世界級公司，尤其在半導體設備產業地位舉足輕重。那我們為何要關注應用材料的營運狀況呢？了解應用材料營運狀態，對於台股投資人有什麼幫助嗎？
應用材料是台股許多設備公司最大的客戶，應用材料營運的好壞自然對這些公司影響巨大。因此有在投資台股設備公司的投資人，都應該關心應用材料的營運狀況。
我們可以從應用材料的業績了解半導體產業產能擴張狀況，如果連半導體設備營運都開始下滑，則明確代表半導體景氣走入衰退。因此關心台積電、聯發科、聯電等半導體相關公司的投資人，都應該關注應用材料的營運狀況。
應用材料會計季度 24Q1 營運表現回顧
回顧應用材料會計季度 24Q1 ( 日曆季度 23Q4) 損益表現，表現優於預期
營收 67.1 億美元，較上季成長 (-0.2)%，高於財測範圍中間數
Non-gaap 毛利率 47.9%，較上季增加 0.6 個百分點，高於財測
Non-gaap EPS 2.13 美元，較上季成長 +0.5%，高於財測範圍上緣
記憶體設備收入持續反彈，邏輯設備業績持續疲軟
如同競爭對手科林研發，應用材料上季表現優於預期，主因為記憶體設備業務繳出好表現。延續上季以來中國合肥長鑫強勁拉貨需求，搭配龍頭廠加碼擴大 HBM、DDR5 產能，DRAM 設備營收季成長高達 +27%，年成長高達 +149%！
相較記憶體設備持續走向復甦，公司邏輯設備營運持續走軟，不僅營收連續三季季衰退，年衰退幅度更是由 (-5.8)% 擴大為 (-23.4)%。科林研發、應用材料的記憶體設備業務明顯優於邏輯設備，再次符合個人過去三季以來觀點：
展望 2024 年半導體設備業，邏輯製程設備落底回溫時間點將晚於記憶體設備產業，反彈回溫力道也將低於記憶體設備產業
中國與成熟製程設備需求邁入衰退，無礙 24 年復甦成長
展望會計季度 24Q2 ( 日曆季度 24Q1) 營運 ，應用材料預期持續小幅衰退：
營收 61~69 億美元，平均較上季衰退 (-3)%，較去年同期衰退 (-2)%
Non-gaap 毛利率 47.3%，較上季增加 +0.3 個百分點
Non-gaap EPS 1.79~2.15，平均較上季衰退 (-7.5)%，較去年同期衰退 (-1.5)%
中國與成熟製程設備需求將轉為衰退
如同競爭對手科林研發，在中國合肥長鑫拉貨延續下，公司預計本季 DRAM 設備營收仍將維持高檔。但展望 2024 年後續季度，經營階層表示中國佔營收比重將從目前 45% 快速降至 30%，明確暗示著中國合肥長鑫後續拉貨力道將快速下滑：
Our China mix should normalize from the levels it's at right now to something that's more typical with our average. … Well, I would say from a long term -- from a many year perspective, we averaged approximately 30%. So if we're at 45% right now, we'll decline across the year to somewhere around that level.
應用材料以上觀點與科林研發雷同，再次符合個人過去兩季以來觀點：
隨著美日荷對中設備出口新禁令生效，中國趕在禁令前加緊採購 DRAM 設備需求將放緩，難以持續至 24 年
不僅中國對 DRAM 設備採購降溫，邏輯成熟製程設備過去兩年在中國大幅採購後，公司預期也將迎來短暫消化期，使得邏輯成熟製程設備業務將邁入衰退。
And we do think there will be some digestion in ICAPS in China, both.
邏輯先進製程與記憶體復甦，預期 24 年營收重返成長
雖然中國對 DRAM 與邏輯成熟製程採購力道暫歇，但應用材料預期將無礙 24 年營運復甦：
HBM 與 DDR5 設備採購需求強勁，配合下游 DRAM 主流客戶產能利用率已開始回溫，以上將能抵銷中國對 DRAM 採購降溫的負面影響。公司預期 2024 DRAM 設備業務表現仍將成長。
Gate-All-Around 相關設備將開始加速採購，配合客戶 ( 估計為台積電 ) 擴產計畫展開，公司預期邏輯先進製程設備下半年重返成長
NAND 設備需求已過谷底，公司預期 NAND 設備需求將迎來復甦
綜合以上，隨著邏輯先進製程與記憶體復甦，將能有效抵銷中國衰退，應用材料預期 24 年營運仍將成長。
中國長鑫存儲被禁機率高，對公司短中期負面影響有限
值得注意的是，部分媒體於 3/9 報導表示根據知情人士透漏，美國商務部考慮將中國合肥長鑫存儲放入實體清單，以進一步限制中國先進半導體的發展。事實上在去年 12/16 發佈的科林研發季報解析中，個人就已提出長鑫存儲可能被禁的警告，合肥長鑫存儲近三季大幅採購 DRAM 設備，個人估計正是因應美國可能的潛在制裁所做的未雨綢繆。倘若報導內容成真 ( 個人覺得是早晚之事 )，對於應用材料是否帶來負面影響呢？
以個人角度，短中期的確會有負面影響，但可能不多：
若排除近三季額外大幅拉貨因素，中國長鑫存儲過去三年新增產能約佔 DRAM 同期新增產能 18%。
考量 DRAM 產業前段設備年支出金額估計約 125 億美元，若排除近三季額外大幅拉貨因素，推估中國合肥長鑫存儲平均設備年支出金額約在 20 億美元
參考產業協會 SEMI 數據，近兩年全球前段設備支出 (WFE) 金額約在 900~950 億美元，因此中國長鑫存儲佔全球前段設備支出比重估計僅約 2.1~2.2%。
經過以上粗略分析，倘若中國合肥長鑫存儲真的進入實體清單，個人估計對應用材料、乃至於整體半導體前段設備產值最多將造成約 2.1~2.2% 損失，影響幅度應該有限。
由應用材料看相關產業鏈上公司展望
最後我們嘗試從應用材料的最新展望，推估其他相關產業鏈上公司未來營運表現。
下游：合肥長鑫存儲將提前擴大 DRAM 產能，對南亞科、華邦電將帶來競爭威脅
隨著 DRAM 下游需求好轉，龍頭業者擴產重心又僅放在 HBM 與 DDR5 先進製程，在 DDR3、DDR4 供給仍偏緊縮下，以 DDR3、DDR4 為主的利基市場短期也將逐漸回溫，相關業者南亞科、華邦電營運理論上將能受惠。
然而中國合肥長鑫近期瘋狂大量採購設備，卻為利基型 DRAM 中長期前景帶來不確定性。合肥長鑫存儲目前最先進製程僅在 17~19nm，對製程同樣在 19~25nm 的南亞科 (2408)、華邦電 (2344)、力積電 (6770) 帶來潛在競爭威脅。即便美國對中國合肥長鑫禁令可能於近期成真，但由於其近三季設備採購量相對於利基型市場體量巨大，投資人應該關注 24 下半年後合肥長鑫產出動向，是否開始對南亞科、華邦電等利基 DRAM 業者帶來競爭壓力。
下游：合肥長鑫製程落後主流甚多，擴大設備採購無礙 DRAM 下游復甦
合肥長鑫存儲目前最先進製程僅在 17~19nm，落後三星、海力士、美光領先業者製程至少 3 代，效能與成本也將明顯落後龍頭業者，理論上難以被伺服器、手機、PC 等主流市場所採用。
唯獨華為由於美國實體清單限制，難以向三星、海力士、美光採購先進 DRAM 晶片；而合肥長鑫存儲近期正好推出 LPDDR5 產品線，意圖在手機市場取得影響力，兩者合作可能性極高。考量市場預估華為手機 24 年銷量將來到約 6000 萬支，相當於整體手機市占率約 5%，而手機市場佔整體 DRAM 產值約 36%，推估合肥長鑫存儲對於主流市場潛在影響估計將僅在 1.8% 左右。
綜合以上，未來數年主流 DRAM 市場主要仍將由三星、海力士、美光主導，合肥長鑫存儲仍難以撼動。參考世界半導體貿易統計組織 WSTS 預測，24 年記憶體晶片營收成長率將高達 +44.8%，即便合肥長鑫存儲侵佔 1.8% 市占率，也無損明年 DRAM 下游復甦力道。個人持續預期：晶片製造廠 - 三星、美光、海力士 DRAM 營收仍將明顯成長。
倘若前面所述美國對長鑫存儲禁令於近期成真，將限制華為未來於手機或 AI 產品透過國產化 DRAM 進而擴張的能力，如此一來對三星、美光、海力士 DRAM 業務無疑是錦上添花。
